| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-15页 |
| ·铁电体材料概述 | 第7-8页 |
| ·钙钛矿结构铁电材料—锆钛酸铅(PZT)简介 | 第8-10页 |
| ·铁电存储器简介及其研究现状 | 第10-11页 |
| ·反铁电体材料概述 | 第11-12页 |
| ·铁电薄膜(或反铁电薄膜)与氧化铝叠层结构的研究 | 第12-13页 |
| ·本论文研究的背景意义 | 第13-15页 |
| 第二章 铁电/反铁电薄膜的制备工艺及分析方法 | 第15-27页 |
| ·铁电/反铁电薄膜的制备工艺和分析方法 | 第15-20页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第15-17页 |
| ·溅射法 | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)法 | 第18页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)法 | 第18-19页 |
| ·原子层淀积(ALD)法 | 第19-20页 |
| ·铁电/反铁电薄膜的分析方法 | 第20-27页 |
| ·相结构XRD分析 | 第20-21页 |
| ·扫描电镜分析 | 第21-22页 |
| ·原子力显微镜分析 | 第22-24页 |
| ·电学测量分析 | 第24-27页 |
| 第三章 金属/反铁电薄膜/氧化铝/金属结构的制备及测试分析 | 第27-45页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·金/反铁电PZT薄膜/氧化铝/铂结构电容的制备 | 第27-31页 |
| ·反铁电PZT先体配置 | 第27-29页 |
| ·反铁电薄膜的制备 | 第29页 |
| ·金/反铁电PZT薄膜/氧化铝/铂结构电容制备流程 | 第29-31页 |
| ·金/反铁电PZT薄膜/氧化铝/铂结构电容电滞回线测试和分析 | 第31-40页 |
| ·金/反铁电PZT薄膜/氧化铝/铂结构电容极化保持特性测试和分析 | 第40-41页 |
| ·金/反铁电PZT薄膜/氧化铝/铂结构电容在不同温度下的测试和分析 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 金/反铁电薄膜/氧化铝/硅结构反铁电存储器件的制备和测试分析 | 第45-53页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·金/反铁电PZT薄膜/氧化铝/硅结构器件的制备 | 第45-47页 |
| ·反铁电PZT先体的配置 | 第45页 |
| ·反铁电PZT薄膜的制备方法 | 第45-46页 |
| ·电极制备方法 | 第46页 |
| ·金/反铁电PZT薄膜/氧化铝/硅结构器件的制备工艺流程 | 第46-47页 |
| ·金/反铁电PZT薄膜/氧化铝/硅结构器件C-V特性和记忆窗口的测试及分析 | 第47-50页 |
| ·金/反铁电PZT薄膜/氧化铝/硅结构器件保持特性的测试及分析 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 全文总结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 攻读硕士期间发表的论文情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
