| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 存储器概述 | 第8-10页 |
| 1.2 阻变式随机存储器(RRAM) | 第10-17页 |
| 1.2.1 阻变式随机存储器(RRAM)的材料体系 | 第11-12页 |
| 1.2.2 阻变式随机存储器(RRAM)的电阻转变机制 | 第12-16页 |
| 1.2.3 阻变式随机存储器(RRAM)的发展过程及应用前景 | 第16-17页 |
| 1.3 基于有机-无机杂化钙钛矿材料的RRAM | 第17-18页 |
| 1.3.1 有机-无机杂化钙钛矿材料 | 第17页 |
| 1.3.2 基于MAPbI_3材料的RRAM | 第17-18页 |
| 1.4 本论文的研究内容及意义 | 第18-21页 |
| 第二章 基于MAPbI_3材料的RRAM器件阻变行为研究 | 第21-35页 |
| 2.1 简述 | 第21-22页 |
| 2.2 MAPbI_3薄膜的制备及表征 | 第22-24页 |
| 2.2.1 MAPbI_3薄膜的制备方法 | 第22页 |
| 2.2.2 MAPbI_3薄膜的基本表征 | 第22-24页 |
| 2.3 Al/MAPbI_3/FTO结构RRAM的阻变特性研究 | 第24-31页 |
| 2.3.1 Al/MAPbI_3/FTO结构RRAM的基本行为 | 第24-27页 |
| 2.3.2 Al/MAPbI_3/FTO结构RRAM的阻态调控研究 | 第27-29页 |
| 2.3.3 Al/MAPbI_3/FTO结构RRAM的保持特性研究 | 第29-31页 |
| 2.4 Al/MAPbI_3/FTO结构存储器件的机制研究 | 第31-33页 |
| 2.4.1 Al/MAPbI_3/FTO结构存储器件的导电机制探究 | 第31-32页 |
| 2.4.2 Al/MAPbI_3/FTO结构存储器件的阻变模型 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 基于MAPbI_3材料的RRAM器件性能提升方法 | 第35-52页 |
| 3.1 简述 | 第35-36页 |
| 3.2 可见光辅助的电激活过程优化器件性能 | 第36-47页 |
| 3.2.1 导电通道调控 | 第37-38页 |
| 3.2.2 器件性能优化 | 第38-40页 |
| 3.2.3 性能优化机制 | 第40-47页 |
| 3.3 引入α-C阻挡层优化器件性能 | 第47-50页 |
| 3.3.1 Al/α-C/MAPbI_3/FTO器件制备 | 第47-48页 |
| 3.3.2 器件性能优化 | 第48-49页 |
| 3.3.3 性能优化机制 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第60页 |
