| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 存储器简介 | 第9-10页 |
| 1.2 下一代非易失性存储器 | 第10-12页 |
| 1.2.1 磁阻随机存储器 | 第10-11页 |
| 1.2.2 铁电随机存储器 | 第11页 |
| 1.2.3 相变存储器 | 第11-12页 |
| 1.2.4 阻变随机存储器 | 第12页 |
| 1.3 阻变式随机存储器(RRAM)要述 | 第12-17页 |
| 1.3.1 RRAM的阻变行为模式与基本参数 | 第13-14页 |
| 1.3.2 RRAM的材料体系 | 第14-15页 |
| 1.3.3 RRAM的物理机制 | 第15-17页 |
| 1.4 二硫化钼存储器简介 | 第17-21页 |
| 1.4.1 二硫化钼的材料特性 | 第17-18页 |
| 1.4.2 二硫化钼RRAM的发展现状 | 第18-21页 |
| 1.5 本论文的选题依据与研究意义 | 第21-23页 |
| 第二章 二硫化钼阻变存储器的构筑及机制探究 | 第23-44页 |
| 2.1 引言 | 第23-25页 |
| 2.2 Ag/MoS_2/Au器件的制备方法 | 第25-28页 |
| 2.2.1 Au底电极的制备 | 第26-27页 |
| 2.2.2 真空抽滤法制备MoS2薄膜 | 第27-28页 |
| 2.2.3 蒸镀Ag顶电极 | 第28页 |
| 2.3 MoS_2薄膜的表征 | 第28-32页 |
| 2.3.1 X射线衍射表征 | 第28-29页 |
| 2.3.2 拉曼光谱表征 | 第29-30页 |
| 2.3.3 原子力显微镜表征 | 第30-31页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜表征 | 第31-32页 |
| 2.4 Ag/MoS_2/Au器件的阻变行为及多级存储应用 | 第32-37页 |
| 2.4.1 单双极性阻变行为共存并可互转的基本现象 | 第32-33页 |
| 2.4.2 基于一种正偏压的读取方式实现的多级存储 | 第33-35页 |
| 2.4.3 基于一种非破坏式的读取方式实现的多级存储 | 第35-37页 |
| 2.5 Ag/MoS_2/Au器件的阻变机理探究 | 第37-43页 |
| 2.5.1 关于高低阻的I-V曲线拟合探究 | 第37-38页 |
| 2.5.2 关于低阻值的温度依赖性探究 | 第38页 |
| 2.5.3 关于拉曼光谱的特征峰探究 | 第38-40页 |
| 2.5.4 两种阻变模式下的激活能计算 | 第40-41页 |
| 2.5.5 电阻转变机制模型模拟 | 第41-42页 |
| 2.5.6 两种电阻转变模式下的参数对比 | 第42-43页 |
| 2.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 Ag/MoS_2/Au柔性可转移电子器件的构建及性能研究 | 第44-53页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 Ag/MoS_2/Au存储器件的构造及其表征 | 第45-48页 |
| 3.2.1 介质层材料的选择 | 第45-46页 |
| 3.2.2 制备方法 | 第46-47页 |
| 3.2.3 MoS_2薄膜的表征 | 第47-48页 |
| 3.3 对Ag/MoS_2/Au柔性可转移器件的性能研究 | 第48-52页 |
| 3.3.1 I-V阻变行为及保持特性 | 第48-49页 |
| 3.3.2 电阻转变速度 | 第49-51页 |
| 3.3.3 柔性器件的弯折性能 | 第51页 |
| 3.3.4 柔性可转移器件的阻变性能 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 总结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 在学期间公开发表论文及著作情况 | 第63页 |
