| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 非易失存储器概述 | 第11-15页 |
| 1.1.1 半导体集成技术的发展现状 | 第11-12页 |
| 1.1.2 非易失存储器及其发展瓶颈 | 第12-13页 |
| 1.1.3 新型非易失存储器简介 | 第13-15页 |
| 1.2 阻变式存储器简介 | 第15-22页 |
| 1.2.1 阻变存储器的发展历程 | 第15-16页 |
| 1.2.2 阻变存储器的基本工作原理 | 第16-17页 |
| 1.2.3 阻变存储器的导电通道模型 | 第17-20页 |
| 1.2.4 阻变存储器的材料体系 | 第20-22页 |
| 1.3 非晶碳材料阻变存储器的研究现状 | 第22页 |
| 1.4 本论文的选题内容及研究意义 | 第22-23页 |
| 第二章 非晶碳材料阻变器件的制备及表征 | 第23-32页 |
| 2.1 非晶碳材料阻变器件的制备 | 第23-26页 |
| 2.1.1 衬底清洗 | 第23-24页 |
| 2.1.2 磁控溅射法沉积制备介质层薄膜 | 第24-25页 |
| 2.1.3 热蒸镀活性金属Ag顶电极 | 第25-26页 |
| 2.2 器件阻变层材料的表征方法 | 第26-31页 |
| 2.2.1 拉曼光谱仪(Raman) | 第26-27页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第27-28页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第28-29页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第29-31页 |
| 2.3 器件电学测试仪器 | 第31-32页 |
| 2.3.1 直流(DC)测试装置 | 第31页 |
| 2.3.2 脉冲(AC)测试装置 | 第31-32页 |
| 第三章 非晶碳材料阻变存储器的原理及其性能提升 | 第32-50页 |
| 3.1 Pt/a-C/Ag结构阻变存储器的阻变行为探究 | 第32-36页 |
| 3.1.1 Pt/a-C/Ag器件的基本阻变行为 | 第32-34页 |
| 3.1.2 Pt/a-C/Ag器件阻变参数波动的原因分析 | 第34-36页 |
| 3.2 Pt/a-C/AIST/Ag器件的阻变行为探究 | 第36-37页 |
| 3.2.1 Pt/a-C/AIST/Ag器件的基本阻变性能 | 第36-37页 |
| 3.2.2 Pt/a-C/AIST/Ag器件的基本参数波动分析 | 第37页 |
| 3.3 不同阻变层厚度的优化 | 第37-40页 |
| 3.3.1 不同缓冲层厚度下的操作电压分析 | 第38-39页 |
| 3.3.2 不同缓冲层厚度下的电阻态分析 | 第39-40页 |
| 3.4 Pt/a-C/AIST/Ag器件性能测试 | 第40-42页 |
| 3.4.1 Pt/a-C/AIST/Ag器件的保持特性测试 | 第40页 |
| 3.4.2 Pt/a-C/AIST/Ag器件响应速度测试 | 第40-41页 |
| 3.4.3 Pt/a-C/AIST/Ag器件寿命测试 | 第41-42页 |
| 3.5 Pt/a-C/Ag和Pt/a-C/AIST/Ag器件阻变机制模型的探究 | 第42-50页 |
| 3.5.1 缓冲层材料AIST对器件操作电压的影响 | 第42-45页 |
| 3.5.2 缓冲层材料AIST对器件操作过冲电流的抑制 | 第45-46页 |
| 3.5.3 Pt/a-C/AIST/Ag器件在不同温度下的阻变行为探究 | 第46-47页 |
| 3.5.4 Pt/a-C/Ag和Pt/a-C/AIST/Ag器件的阻变机制模型的构建 | 第47-50页 |
| 第四章 非晶碳阻变存储器在特殊环境下的阻变测试 | 第50-55页 |
| 4.1 中子辐照对Pt/a-C/AIST/Ag器件阻变参数的影响探究 | 第50-52页 |
| 4.1.1 中子辐照对器件基本阻变行为的影响 | 第51页 |
| 4.1.2 中子辐照对器件阻变参数的影响 | 第51-52页 |
| 4.2 X射线辐照对Pt/a-C/AIST/Ag器件阻变行为的影响探究 | 第52-53页 |
| 4.3 激光辐照对Pt/a-C/AIST/Ag器件阻变行为的影响探究 | 第53-55页 |
| 4.3.1 强激光辐照下器件的基本阻变性能 | 第53-54页 |
| 4.3.2 强激光辐照下器件对器件阻变参数影响 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 在学期间公开发表论文及著作情况 | 第64页 |
