| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 单光子和单光子源 | 第10-14页 |
| 1.2.1 光子和单光子 | 第10-11页 |
| 1.2.2 传统光源和单光子源 | 第11-12页 |
| 1.2.3 单光子源的评判标准 | 第12-13页 |
| 1.2.4 不同系统的单光子源 | 第13-14页 |
| 1.3 纳米线量子点单光子源 | 第14-18页 |
| 1.3.1 纳米线材料 | 第14-16页 |
| 1.3.2 量子点结构 | 第16-17页 |
| 1.3.3 纳米线量子点单光子源的优势 | 第17-18页 |
| 1.4 论文结构与安排 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 仿真方法及实验原理 | 第24-40页 |
| 2.1 时域有限差分方法和FDTD Solutions软件简介 | 第24-27页 |
| 2.2 单光子源器件性能参数仿真 | 第27-29页 |
| 2.2.1 Purcell因子 | 第27-28页 |
| 2.2.2 萃取效率 | 第28-29页 |
| 2.3 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料制备技术介绍 | 第29-32页 |
| 2.3.1 半导体纳米线的合成原理 | 第29-30页 |
| 2.3.2 MOCVD介绍 | 第30-32页 |
| 2.4 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的表征方法 | 第32-36页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜原理简介 | 第32-33页 |
| 2.4.2 透射电子显微镜原理简介 | 第33-34页 |
| 2.4.3 光致发光谱测量原理简介 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-40页 |
| 第三章 纳米线量子点单光子源的理论仿真 | 第40-56页 |
| 3.1 核壳结构的纳米线量子点FDTD仿真 | 第40-45页 |
| 3.1.1 核壳结构的仿真模型设置 | 第40-41页 |
| 3.1.2 核壳结构的纳米线量子点FDTD仿真结果 | 第41-45页 |
| 3.2 被Au包围的纳米线量子点结构的仿真研究 | 第45-54页 |
| 3.2.1 典型结构的纳米线量子点结构的局限 | 第45-46页 |
| 3.2.2 被Au包围的纳米线量子点仿真模型设置 | 第46-47页 |
| 3.2.3 仿真模拟结果分析 | 第47-53页 |
| 3.2.4 小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第四章 纳米线侧壁稀疏量子点的制备及测试 | 第56-64页 |
| 4.1 GaAs纳米线侧壁稀疏InAs量子点的制备 | 第56-57页 |
| 4.2 扫描电子显微镜样品图样 | 第57页 |
| 4.3 透射电子显微镜样品图样 | 第57-58页 |
| 4.4 PL谱测试结果 | 第58-62页 |
| 4.4.1 77K下的PL测试谱 | 第58-60页 |
| 4.4.2 5.5K下的PL测试谱 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 总结 | 第64页 |
| 5.2 展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第68页 |
