| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 高压功率集成电路简介 | 第9-10页 |
| 1.2 静电放电保护简介 | 第10-12页 |
| 1.3 集成电路ESD研究现状和面临挑战 | 第12-14页 |
| 1.4 本文的主要研究内容以及论文安排 | 第14-15页 |
| 1.5 本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 高压功率集成电路基本设计技术 | 第16-28页 |
| 2.1 基本功率器件和工艺介绍 | 第16-20页 |
| 2.1.1 LDMOS和VDMOS器件 | 第16-18页 |
| 2.1.2 Bipolar-CMOS-DMOS工艺 | 第18-20页 |
| 2.2 功率集成电路中的常用终端技术 | 第20-22页 |
| 2.2.1 弱化表面场技术 | 第20-21页 |
| 2.2.2 场限环技术 | 第21-22页 |
| 2.3 工艺和器件仿真技术简介 | 第22-27页 |
| 2.3.1 工艺和器件仿真技术发展概况 | 第22-24页 |
| 2.3.2 TCAD仿真软件简介 | 第24-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 集成电路中ESD的测试和常规设计 | 第28-56页 |
| 3.1 ESD常用测试模型 | 第28-34页 |
| 3.1.1 人体放电模型HBM | 第28-31页 |
| 3.1.2 机器放电模型MM | 第31-32页 |
| 3.1.3 器件充电模型CDM | 第32-34页 |
| 3.2 ESD常用测试组合 | 第34-37页 |
| 3.2.1 常规集成电路ESD测试组合 | 第34-37页 |
| 3.2.2 功率集成电路中的ESD测试组合 | 第37页 |
| 3.3 ESD保护电路的设计 | 第37-40页 |
| 3.3.1 ESD保护电路设计原则 | 第37-38页 |
| 3.3.2 ESD设计窗口 | 第38-40页 |
| 3.4 ESD基本防护器件 | 第40-51页 |
| 3.4.1 二极管 | 第41-43页 |
| 3.4.2 双极晶体管 | 第43-44页 |
| 3.4.3 MOS管 | 第44-46页 |
| 3.4.4 可控硅整流器 | 第46-51页 |
| 3.4.4.1 降低SCR触发电压的方法 | 第48-50页 |
| 3.4.4.2 提高SCR维持电压的方法 | 第50-51页 |
| 3.5 ESD防护器件仿真实例 | 第51-54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 高压功率集成电路中的ESD保护设计 | 第56-79页 |
| 4.1 功率集成电路高压输出端的ESD保护设计 | 第56-58页 |
| 4.1.1 高压片内ESD保护方案 | 第57-58页 |
| 4.1.2 高压片外ESD保护 | 第58页 |
| 4.2 高压片内ESD保护器件 | 第58-61页 |
| 4.2.1 低回滞特性MLSCR器件结构 | 第59-60页 |
| 4.2.2 高压MLSCR堆叠结构 | 第60-61页 |
| 4.3 高维持电压双向ESD保护器件 | 第61-75页 |
| 4.3.1 平面终端技术双向ESD保护器件结构 | 第62-66页 |
| 4.3.1.1 PIN二极管击穿分析 | 第62-64页 |
| 4.3.1.2 基区宽度分析 | 第64-66页 |
| 4.3.2 场限环仿真验证分析 | 第66-69页 |
| 4.3.3 双向ESD保护器件设计 | 第69-75页 |
| 4.4 高维持电压双向ESD保护器件的测试和应用 | 第75-78页 |
| 4.4.1 ESD保护器件的测试 | 第75-76页 |
| 4.4.2 ESD保护器件的应用举例 | 第76-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 5.1 论文总结 | 第79-80页 |
| 5.2 展望 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第85-86页 |