首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--一般性问题论文--设计、分析、计算论文

基于温度和工艺补偿的高精度时钟电路技术研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第12-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-20页
    1.1 时钟电路研究背景及意义第16页
    1.2 国内外研究现状与发展趋势第16-18页
    1.3 论文的主要工作以及结构第18-20页
第二章 时钟电路的工作原理与分类第20-30页
    2.1 时钟电路的工作原理第20-24页
        2.1.1 负阻理论第20-23页
        2.1.2 反馈理论第23-24页
    2.2 时钟电路的典型结构第24-28页
        2.2.1 晶体振荡器第25-26页
        2.2.2 环形振荡器第26-28页
    2.3 本章小结第28-30页
第三章 PVT对环形振荡器频率的影响及解决方案第30-42页
    3.1 温度变化对环形振荡器频率的影响第30-34页
        3.1.1 温度对MOS管器件参数的影响第30-32页
        3.1.2 温度对环形振荡器频率的影响第32-34页
    3.2 工艺偏差对环形振荡器频率的影响第34-36页
        3.2.1 工艺偏差对MOS管器件参数的影响第34-35页
        3.2.2 工艺偏差对环形振荡器的影响第35-36页
    3.3 电源波动对环形振荡器频率的影响第36-38页
    3.4 基于温度和工艺补偿的时钟电路的系统设计第38-40页
    3.5 本章小结第40-42页
第四章 时钟产生电路的设计第42-66页
    4.1 高精度基准电路第42-52页
        4.1.1 基准电路工作原理第42-45页
        4.1.2 高精度基准电路的设计第45-48页
        4.1.3 VBE线性化补偿基准电路的实现第48-49页
        4.1.4 VBE线性化补偿基准电路的仿真第49-52页
    4.2 稳压电路第52-62页
        4.2.1 密勒补偿的LDO原理分析第53-56页
        4.2.2 动态密勒补偿的LDO的实现第56-58页
        4.2.3 动态密勒补偿的LDO的仿真第58-62页
    4.3 电流饥饿型环形振荡器第62-64页
        4.3.1 电流饥饿型环形振荡器工作原理第62-63页
        4.3.2 电流饥饿型环形振荡器电路设计与仿真第63-64页
    4.4 本章小结第64-66页
第五章 时钟校准电路设计第66-78页
    5.1 数字控制电路第66-71页
        5.1.2 步进式收敛算法第67-69页
        5.1.3 快速收敛算法第69-71页
    5.2 电流镜开关阵列第71-72页
    5.3 上电复位电路第72-75页
        5.3.1 上电复位电路的分类第72-73页
        5.3.2 上电复位电路的设计与仿真第73-75页
    5.4 本章小结第75-78页
第六章 整体仿真、版图设计与流片验证第78-92页
    6.1 电路的整体仿真第78-82页
    6.2 电路的版图设计与后仿第82-84页
    6.3 芯片测试第84-91页
        6.3.1 时钟电路的测试方案第85-87页
        6.3.2 测试结果分析第87-91页
    6.4 本章小结第91-92页
第七章 总结与展望第92-94页
    7.1 工作内容总结第92页
    7.2 创新点与不足第92-94页
参考文献第94-98页
致谢第98-100页
作者简介第100-101页

论文共101页,点击 下载论文
上一篇:晶圆级单轴应变SOI制作新工艺及相关效应研究
下一篇:2Gbps时钟数据恢复电路关键技术研究