基于温度和工艺补偿的高精度时钟电路技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 1.1 时钟电路研究背景及意义 | 第16页 |
| 1.2 国内外研究现状与发展趋势 | 第16-18页 |
| 1.3 论文的主要工作以及结构 | 第18-20页 |
| 第二章 时钟电路的工作原理与分类 | 第20-30页 |
| 2.1 时钟电路的工作原理 | 第20-24页 |
| 2.1.1 负阻理论 | 第20-23页 |
| 2.1.2 反馈理论 | 第23-24页 |
| 2.2 时钟电路的典型结构 | 第24-28页 |
| 2.2.1 晶体振荡器 | 第25-26页 |
| 2.2.2 环形振荡器 | 第26-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 PVT对环形振荡器频率的影响及解决方案 | 第30-42页 |
| 3.1 温度变化对环形振荡器频率的影响 | 第30-34页 |
| 3.1.1 温度对MOS管器件参数的影响 | 第30-32页 |
| 3.1.2 温度对环形振荡器频率的影响 | 第32-34页 |
| 3.2 工艺偏差对环形振荡器频率的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.1 工艺偏差对MOS管器件参数的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 工艺偏差对环形振荡器的影响 | 第35-36页 |
| 3.3 电源波动对环形振荡器频率的影响 | 第36-38页 |
| 3.4 基于温度和工艺补偿的时钟电路的系统设计 | 第38-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 时钟产生电路的设计 | 第42-66页 |
| 4.1 高精度基准电路 | 第42-52页 |
| 4.1.1 基准电路工作原理 | 第42-45页 |
| 4.1.2 高精度基准电路的设计 | 第45-48页 |
| 4.1.3 VBE线性化补偿基准电路的实现 | 第48-49页 |
| 4.1.4 VBE线性化补偿基准电路的仿真 | 第49-52页 |
| 4.2 稳压电路 | 第52-62页 |
| 4.2.1 密勒补偿的LDO原理分析 | 第53-56页 |
| 4.2.2 动态密勒补偿的LDO的实现 | 第56-58页 |
| 4.2.3 动态密勒补偿的LDO的仿真 | 第58-62页 |
| 4.3 电流饥饿型环形振荡器 | 第62-64页 |
| 4.3.1 电流饥饿型环形振荡器工作原理 | 第62-63页 |
| 4.3.2 电流饥饿型环形振荡器电路设计与仿真 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 时钟校准电路设计 | 第66-78页 |
| 5.1 数字控制电路 | 第66-71页 |
| 5.1.2 步进式收敛算法 | 第67-69页 |
| 5.1.3 快速收敛算法 | 第69-71页 |
| 5.2 电流镜开关阵列 | 第71-72页 |
| 5.3 上电复位电路 | 第72-75页 |
| 5.3.1 上电复位电路的分类 | 第72-73页 |
| 5.3.2 上电复位电路的设计与仿真 | 第73-75页 |
| 5.4 本章小结 | 第75-78页 |
| 第六章 整体仿真、版图设计与流片验证 | 第78-92页 |
| 6.1 电路的整体仿真 | 第78-82页 |
| 6.2 电路的版图设计与后仿 | 第82-84页 |
| 6.3 芯片测试 | 第84-91页 |
| 6.3.1 时钟电路的测试方案 | 第85-87页 |
| 6.3.2 测试结果分析 | 第87-91页 |
| 6.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 第七章 总结与展望 | 第92-94页 |
| 7.1 工作内容总结 | 第92页 |
| 7.2 创新点与不足 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-98页 |
| 致谢 | 第98-100页 |
| 作者简介 | 第100-101页 |
