晶圆级单轴应变SOI制作新工艺及相关效应研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外应变SOI发展现状 | 第16-18页 |
| 1.3 本论文的研究工作及章节安排 | 第18-19页 |
| 第二章 Si基应变理论与技术 | 第19-37页 |
| 2.1 Si基应变理论 | 第19-27页 |
| 2.1.1 应力与应变 | 第19-21页 |
| 2.1.2 应变Si晶格结构 | 第21-22页 |
| 2.1.3 应变Si能带结构 | 第22-24页 |
| 2.1.4 应变Si迁移率增强机理 | 第24-27页 |
| 2.2 Si基应变技术 | 第27-33页 |
| 2.2.1 局部应变技术 | 第27-30页 |
| 2.2.2 全局应变技术 | 第30-33页 |
| 2.3 晶圆级单轴应变SOI技术 | 第33-35页 |
| 2.3.1 机械致晶圆级单轴应变SOI | 第33-34页 |
| 2.3.2 双轴转单轴应变SOI | 第34-35页 |
| 2.4 小结 | 第35-37页 |
| 第三章 高应力SiN薄膜特性与制备研究 | 第37-55页 |
| 3.1 高应力SiN薄膜特性研究 | 第37-40页 |
| 3.1.1 SiN薄膜结构特性 | 第37-38页 |
| 3.1.2 SiN薄膜应力特性 | 第38-40页 |
| 3.2 SiN致MOS器件沟道单轴应力作用机理 | 第40-48页 |
| 3.2.1 应力引入机理模拟 | 第40-46页 |
| 3.2.2 应力模型 | 第46-48页 |
| 3.3 高应力SiN薄膜的制备技术 | 第48-52页 |
| 3.3.1 常压化学气相淀积 | 第49页 |
| 3.3.2 低压化学气象淀积 | 第49页 |
| 3.3.3 等离子体增强化学气相和淀积 | 第49-50页 |
| 3.3.4 Si N薄膜应力增强技术 | 第50-52页 |
| 3.4 高应力SiN薄膜制备实验 | 第52-54页 |
| 3.5 小结 | 第54-55页 |
| 第四章 晶圆级单轴应变SOI制备研究 | 第55-71页 |
| 4.1 SOI材料热力学特性 | 第55-57页 |
| 4.1.1 Si的热力学特性 | 第55-57页 |
| 4.1.2 SiO2的热力学特性 | 第57页 |
| 4.2 尺寸效应 | 第57-61页 |
| 4.2.1 几何尺寸效应 | 第58页 |
| 4.2.2 力学尺寸效应 | 第58-59页 |
| 4.2.3 Si的尺寸效应 | 第59-61页 |
| 4.3 晶圆级单轴应变SOI的制备实验 | 第61-65页 |
| 4.3.1 工艺步骤 | 第61-64页 |
| 4.3.2 工艺原理 | 第64-65页 |
| 4.4 材料表征及分析 | 第65-69页 |
| 4.4.1 偏振拉曼 | 第65-67页 |
| 4.4.2 样品表征 | 第67-69页 |
| 4.5 小结 | 第69-71页 |
| 第五章 结论 | 第71-73页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第71-72页 |
| 5.2 进一步的工作 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |
