| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-20页 |
| ·材料的铁电性 | 第11-14页 |
| ·材料铁电性概述 | 第11-12页 |
| ·铁电体的主要特征 | 第12-14页 |
| ·PT 系铁电材料概述 | 第14-17页 |
| ·PT 系铁电材料的结构 | 第14-15页 |
| ·PT 系铁电薄膜的性能及应用 | 第15-17页 |
| ·铁电材料的研究前沿 | 第17-18页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜制备和结构、性能表征方法 | 第20-29页 |
| ·铁电薄膜制备方法简介 | 第20-22页 |
| ·射频磁控溅射 | 第20页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第20-21页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第21页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第21页 |
| ·分子束外延 | 第21-22页 |
| ·薄膜表面及微观结构的表征 | 第22-27页 |
| ·X 射线衍射原理 | 第22-23页 |
| ·反射式高能电子衍射 | 第23-25页 |
| ·扫描电子显微镜工作原理 | 第25-26页 |
| ·能量色散X 射线荧光法工作原理 | 第26页 |
| ·透射电子显微镜工作原理 | 第26-27页 |
| ·铁电测试原理与电路 | 第27-29页 |
| 第三章 射频磁控溅射制备PZT 薄膜及其结构、性能研究 | 第29-48页 |
| ·实验设备 | 第31-32页 |
| ·PZT 薄膜的制备过程与工艺条件 | 第32-33页 |
| ·PZT 薄膜的晶化方法 | 第33-34页 |
| ·快速退火处理(RTA)对PZT 薄膜结构取向的影响 | 第34-41页 |
| ·退火温度 | 第34-37页 |
| ·升温速率 | 第37-41页 |
| ·PZT 薄膜的SEM 和EDX 分析 | 第41-43页 |
| ·PZT 薄膜的电滞回线分析 | 第43-45页 |
| ·介电特性测试与浅析 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第四章 分子束外延制备PTO 薄膜及其结构、性能研究 | 第48-63页 |
| ·分子束外延概述 | 第48-49页 |
| ·分子束外延发展历史 | 第48页 |
| ·分子束外延原理及生长过程 | 第48-49页 |
| ·分子束外延设备 | 第49-50页 |
| ·PTO 薄膜的制备 | 第50-51页 |
| ·在Pt/Si 基片上生长PTO 薄膜 | 第51-54页 |
| ·实验条件 | 第51-52页 |
| ·实验测试与分析 | 第52-54页 |
| ·在STO 基片上生长PTO 薄膜 | 第54-58页 |
| ·实验条件 | 第54页 |
| ·实验测试与分析 | 第54-58页 |
| ·在GaN 基片上生长PTO 薄膜 | 第58-60页 |
| ·实验条件 | 第58-59页 |
| ·实验测试与分析 | 第59-60页 |
| ·缓冲层诱导实现PTO/GaN 集成初探 | 第60-62页 |
| ·实验条件 | 第60-61页 |
| ·实验测试与分析 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻硕期间的研究成果 | 第69-70页 |
