| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 半导体纳米材料 | 第12-15页 |
| 1.2.1 纳米材料的简介 | 第12-13页 |
| 1.2.2 半导体纳米材料的基本特性 | 第13-15页 |
| 1.3 CdSe半导体纳米材料的基本性质 | 第15页 |
| 1.4 CdSe半导体纳米材料的应用 | 第15-19页 |
| 1.4.1 太阳能电池 | 第15-16页 |
| 1.4.2 光催化 | 第16-17页 |
| 1.4.3 发光二极管 | 第17-18页 |
| 1.4.4 气敏传感器 | 第18页 |
| 1.4.5 探测器 | 第18-19页 |
| 1.5 CdSe纳米半导体薄膜的制备方法 | 第19-22页 |
| 1.5.1 气相沉积法 | 第19-20页 |
| 1.5.2 脉冲激光沉积法 | 第20页 |
| 1.5.3 化学浴沉积法 | 第20页 |
| 1.5.4 电化学沉积法 | 第20-21页 |
| 1.5.5 溶剂热合成法 | 第21页 |
| 1.5.6 蒸发或共蒸发法 | 第21页 |
| 1.5.7 喷雾热解法 | 第21-22页 |
| 1.5.8 自组装技术 | 第22页 |
| 1.6 本文的构思与主要工作 | 第22-24页 |
| 第二章 以Cd为基底两步法制备CdSe纳米半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究 | 第24-34页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 实验部分 | 第24-26页 |
| 2.2.1 试剂和溶液配置 | 第24-25页 |
| 2.2.2 Cd(OH)_2 和CdSe半导体薄膜的制备 | 第25页 |
| 2.2.3 表征方法 | 第25-26页 |
| 2.2.4 光电化学性能测试 | 第26页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第26-33页 |
| 2.3.1 Cd电极在KNO_3溶液中的电化学行为 | 第26-27页 |
| 2.3.2 Cd电极分别氧化和硒化后形貌、晶型和组成的表征 | 第27-31页 |
| 2.3.3 Cd电极氧化时间和硒化时间对光电化学性能的影响 | 第31-32页 |
| 2.3.4 Cd(OH)_2 和CdSe的能带位置计算 | 第32-33页 |
| 2.4 小结 | 第33-34页 |
| 第三章 气/液界面组装制备CdSe纳米半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究 | 第34-43页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 实验部分 | 第34-36页 |
| 3.2.1 试剂、溶液配置 | 第34-35页 |
| 3.2.2 CdSe半导体薄膜的制备 | 第35页 |
| 3.2.3 表征方法 | 第35页 |
| 3.2.4 光电化学性能测试 | 第35-36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-42页 |
| 3.3.1 气/液界面组装制备CdSe薄膜的表征 | 第36-39页 |
| 3.3.2 CdSe薄膜电极的光电化学性能 | 第39-42页 |
| 3.4 小结 | 第42-43页 |
| 第四章 以Cd为基底一步法制备CdSe纳米半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究 | 第43-51页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 实验部分 | 第43-44页 |
| 4.2.1 试剂与溶液配置 | 第43-44页 |
| 4.2.2 CdSe半导体薄膜的制备 | 第44页 |
| 4.2.3 表征方法 | 第44页 |
| 4.2.4 光电化学性能测试 | 第44页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第44-50页 |
| 4.3.1 CdSe薄膜的表征 | 第44-46页 |
| 4.3.2 CdSe薄膜电极的光电化学性能 | 第46-49页 |
| 4.3.3 CdSe薄膜的形成机理 | 第49-50页 |
| 4.4 小结 | 第50-51页 |
| 结语 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-61页 |
| 攻读学位期间发表的文章 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
