MOS-D快速二极管的设计分析与优化
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 发展状况 | 第10-11页 |
| 1.3 课题研究意义 | 第11页 |
| 1.4 课题主要目的 | 第11-13页 |
| 第2章 MOS-D二极管结构和工作原理 | 第13-26页 |
| 2.1 VDMOSFET的基本结构 | 第13-14页 |
| 2.2 VDMOSFET的工作原理 | 第14-16页 |
| 2.3 MOS-D二极管结构 | 第16页 |
| 2.4 MOS-D二极管工作原理 | 第16-19页 |
| 2.5 MOS-D二极管的主要参数 | 第19-25页 |
| 2.5.1 阈值电压 | 第19页 |
| 2.5.2 导通电阻 | 第19-21页 |
| 2.5.3 击穿电压 | 第21-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 MOS-D二极管的参数设计 | 第26-31页 |
| 3.1 外延层的参数设计 | 第26-27页 |
| 3.2 N+区域的设置 | 第27页 |
| 3.3 P-区域的设置 | 第27-28页 |
| 3.4 栅极多晶硅的设置 | 第28页 |
| 3.5 源极接触沟槽深度和宽度的设置 | 第28-29页 |
| 3.6 其他参数的设置 | 第29-30页 |
| 3.7 MOS-D二极管参数的具体设置 | 第30-31页 |
| 第4章 MOS-D二级管具体参数的优化 | 第31-45页 |
| 4.1 沟道长度的优化 | 第31-32页 |
| 4.2 栅极多晶硅深度的优化 | 第32-36页 |
| 4.3 源极接触沟槽的沟槽深度和宽度的优化 | 第36-40页 |
| 4.4 栅极多晶硅宽度的优化 | 第40-41页 |
| 4.5 MOS-D二极管的反向恢复时间仿真 | 第41-45页 |
| 第5章 MOS-D二极管的模拟 | 第45-56页 |
| 5.1 Silvoco TCAD简介 | 第45-48页 |
| 5.2 MOS-D二极管的ATHENA模拟 | 第48-56页 |
| 第6章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 在学研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
