摘要 | 第3-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第8-24页 |
1.1 国内外的研究现状 | 第8-17页 |
1.2 InGaN太阳电池的挑战及发展方向 | 第17-18页 |
1.3 仿真软件的简介 | 第18-20页 |
1.4 InGaN太阳能电池的工作原理以及重要参数 | 第20-23页 |
1.5 本论文的内容安排 | 第23-24页 |
第2章 载流子逃逸机制对InGaN太阳电池工作波长的影响 | 第24-35页 |
2.1 引言 | 第24-25页 |
2.2 实验及结果 | 第25-29页 |
2.3 结果分析与讨论 | 第29-33页 |
2.4 小结 | 第33-35页 |
第3章 V型坑对In GaN太阳电池载流子输运的作用 | 第35-43页 |
3.1 引言 | 第35页 |
3.2 仿真细节以及参数的选择 | 第35-37页 |
3.3 仿真结果和讨论 | 第37-42页 |
3.4 小结 | 第42-43页 |
第4章 InGaN/GaN多量子阱太阳电池载流子输运与温度的关系 | 第43-49页 |
4.1 引言 | 第43-44页 |
4.2 实验方法 | 第44页 |
4.3 结果与讨论 | 第44-48页 |
4.4 小结 | 第48-49页 |
第5章 p-i-n型InGaN异质结电池载流子输运研究以及优化 | 第49-59页 |
5.1 引言 | 第49-50页 |
5.2 仿真参数以及方法 | 第50-56页 |
5.3 其他参数对结果的影响以及器件尺寸的优化 | 第56-58页 |
5.4 小结 | 第58-59页 |
第6章 结论与展望 | 第59-61页 |
6.1 结论 | 第59-60页 |
6.2 进一步工作的方向 | 第60-61页 |
致谢 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-69页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第69页 |