| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 高k栅介质材料的应用 | 第10-12页 |
| 1.2 高k栅介质材料的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.3 高k栅介质材料的发展 | 第13-14页 |
| 1.4 Hf基高栅介质材料的发展 | 第14-16页 |
| 2 薄膜的制备和表征方法 | 第16-26页 |
| 2.1 薄膜制备技术 | 第16-20页 |
| 2.1.1 溅射原理 | 第16-17页 |
| 2.1.2 射频減射 | 第17页 |
| 2.1.3 磁控溅射 | 第17-20页 |
| 2.2 薄膜的表征方法 | 第20-26页 |
| 2.2.1 X-射线荧光光谱(XRF)仪器 | 第20-21页 |
| 2.2.2 电子探针仪(EPMA) | 第21-22页 |
| 2.2.3 X-射线衍射(XRD)谱仪 | 第22-23页 |
| 2.2.4 原子力显微镜(AFM) | 第23-24页 |
| 2.2.5 透射光谱 | 第24-26页 |
| 3 反应射频磁控溅射制备HfTaO薄膜及其性能表征 | 第26-36页 |
| 3.1 HfTaO薄膜的制备方法 | 第26页 |
| 3.2 HfTaO薄膜的表征手段 | 第26页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第26-35页 |
| 3.3.1 HfTaO薄膜成分与沉积速率 | 第26-27页 |
| 3.3.2 HfTaO薄膜的表面形貌 | 第27-29页 |
| 3.3.3 HfTaO薄膜XRD结构表征 | 第29-32页 |
| 3.3.4 HfTaO薄膜的光学性质 | 第32-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 反应射频磁控溅射制备HfLaO薄膜及其性能表征 | 第36-46页 |
| 4.1 HfLaO薄膜的制备方法 | 第36页 |
| 4.2 HfLaO薄膜的表征手段 | 第36页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第36-45页 |
| 4.3.1 HfLaO薄膜的成分与沉积速率 | 第36-37页 |
| 4.3.2 HfLaO薄膜的表面形貌 | 第37-39页 |
| 4.3.3 HfLaO薄膜的结构表征 | 第39-42页 |
| 4.3.4 HfLaO薄膜的光学性质 | 第42-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |