| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-30页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 太阳电池的发展历史及现状 | 第14-20页 |
| 1.3 纳米半导体中的多重激子效应 | 第20-22页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容及框架结构 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-30页 |
| 第二章 纳米半导体中多重激子效应的研究历史与现状 | 第30-55页 |
| 2.1 多重激子效应的研究历史 | 第30-35页 |
| 2.2 多重激子效应的实验检测 | 第35-40页 |
| 2.2.1 实验检测 | 第35-38页 |
| 2.2.2 实验数据的分析 | 第38-40页 |
| 2.3 多重激子效应的理论解释 | 第40-42页 |
| 2.4 多重激子效应的应用探索 | 第42-43页 |
| 2.5 关于多重激子效应的争议 | 第43-46页 |
| 参考文献 | 第46-55页 |
| 第三章 多重激子效应的统计理论及量子点太阳电池的效率计算模型 | 第55-86页 |
| 3.1 引言 | 第55-57页 |
| 3.2 纳米半导体中多重激子产生的理论模型及其程序实现 | 第57-66页 |
| 3.2.1 纳米半导体中多重激子产生的统计模型 | 第57-63页 |
| 3.2.2 半导体量子点中多重激子产生理论计算的 Matlab 实现 | 第63-66页 |
| 3.3 量子点太阳电池的能量转换效率 | 第66-75页 |
| 3.3.1 太阳电池能量转换效率的计算理论 | 第66-74页 |
| 3.3.2 太阳电池转换效率计算的流程图 | 第74-75页 |
| 3.4 本章总结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-86页 |
| 第四章 PbSe 量子点中的多重激子产生及其应用 | 第86-116页 |
| 4.1 引言 | 第86-88页 |
| 4.2 PbSe 量子点中多重激子效应计算中参数的确定 | 第88-89页 |
| 4.3 多重激子效应统计模型正确性的验证 | 第89-93页 |
| 4.4 PbSe 量子点中的多重激子产生效应 | 第93-106页 |
| 4.5 多重激子效应对 PbSe 量子点太阳电池转换效率的增强作用 | 第106-108页 |
| 4.6 本章总结 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-116页 |
| 第五章 硅量子点中的 MEG 效应及其在光电器件上的应用 | 第116-143页 |
| 5.1 引言 | 第116-117页 |
| 5.2 纳米硅的禁带宽度 | 第117-119页 |
| 5.3 纳米硅薄膜的非线性光学性质 | 第119-121页 |
| 5.4 纳米硅半导体中的多重激子效应 | 第121-129页 |
| 5.5 纳米硅半导体中多重激子效应的应用 | 第129-134页 |
| 5.5.1 Si 量子点中多重激子产生效应对太阳电池转换效率的影响 | 第129-133页 |
| 5.5.2 Si 量子点中多重激子产生在紫外探测器上的潜在应用 | 第133-134页 |
| 5.6 本章总结 | 第134-135页 |
| 参考文献 | 第135-143页 |
| 第六章 总结与展望 | 第143-146页 |
| 6.1 总结 | 第143-144页 |
| 6.2 论文的创新点 | 第144-145页 |
| 6.3 展望 | 第145-146页 |
| 致谢 | 第146-148页 |
| 发表论文目录 | 第148页 |
