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磁性拓扑绝缘体单晶的生长以及磁学性质的研究

摘要第5-9页
ABSTRACT第9-12页
目录第13-16页
第一章 绪论第16-33页
    1.1 量子自旋霍尔效应(QSHE)与拓扑绝缘体第17-21页
        1.1.1 量子霍尔效应(QHE)与量子自旋霍尔效应第17-18页
        1.1.2 拓扑绝缘体第18-21页
    1.2 反常量子霍尔效应第21-22页
    1.3 寻找实现反常量子霍尔效应的体系第22-23页
    1.4 费米能级的调节第23-25页
    1.5 本论文研究内容安排第25-26页
    参考文献第26-33页
第二章 实验方法和实验仪器简介第33-55页
    2.1 晶体的助熔剂法生长[1]第33-39页
        2.1.1 助熔剂法的基本原理及其分类第33-36页
        2.1.2 助熔剂的选择和分类第36-38页
        2.1.3 助熔剂法生长材料技术的优缺点第38-39页
    2.2 晶体的熔体法生长[1]第39-43页
        2.2.1 熔体法的基本原理及特点第39-40页
        2.2.2 坩埚移动法 (Bridgman 法)第40-42页
        2.2.3 区熔法第42-43页
    2.3 高温金相显微镜第43-45页
    2.4 扫描隧道显微镜第45-48页
        2.4.1 STM 的基本原理[17]第45-46页
        2.4.2 STM 的结构以及工作模式第46-48页
    2.5 角分辨光电子能谱第48-50页
    2.6 综合物性测量系统[31]第50页
    2.7 X 射线衍射[32]第50-51页
    2.8 扫描电子显微分析[33]第51-52页
    参考文献第52-55页
第三章 拓扑绝缘体 Bi_(2-x)Mn_xTe_3单晶的生长习性及缺陷研究第55-74页
    3.1 背景介绍第55-58页
    3.2 单晶的制备第58-59页
    3.3 未掺杂 Bi_2Te_3单晶的质量表征第59-63页
    3.4 溶液法生长的单晶的形貌及生长习性分析第63-67页
    3.5 Bi_(2-x)Mn_xTe_3单晶 STM 形貌及缺陷分析第67-70页
    3.6 本章小结第70-71页
    参考文献第71-74页
第四章 磁性拓扑绝缘体 Cr_(0.05)Bi_xSb_(1.95-x)Te_3中载流子浓度与磁性的关联研究第74-95页
    4.1 背景介绍第74-81页
    4.2 单晶的制备第81-82页
    4.3 晶体结构和质量表征第82-84页
    4.4 晶体电学性质测试第84-86页
    4.5 Cr-Sb_2Te_3的磁学性质第86-91页
        4.5.1 测试方向以及 Cr 掺杂量的选择第86-89页
        4.5.2 Sb_(1.95-x)Bi_xCr_(0.05)Te_3的磁学性质第89-91页
    4.6 磁性和载流子浓度的关联第91页
    4.7 本章小结第91-92页
    参考文献第92-95页
第五章 Fe 掺杂磁性拓扑绝缘体 Bi_2Se_3中铁磁性起源研究第95-115页
    5.1 背景介绍第95-101页
    5.2 单晶的制备第101-102页
    5.3 掺杂晶体的质量以及成分表征第102-103页
    5.4 Ca_xBi_(1.84-x)Fe_(0.16)Se_3单晶的电学性质第103-106页
    5.5 Ca_xBi_(1.84-x)Fe_(0.16)Se_3单晶的磁学性质第106-110页
    5.6 磁性和载流子浓度的关联第110-111页
    5.7 本章小结第111页
    参考文献第111-115页
第六章 稀土钡铜氧薄膜的热稳定性研究第115-137页
    6.1 研究背景介绍第115-123页
        6.1.1 熔化及过热第115-119页
        6.1.2 基板效应以及溶解度温度系数对薄膜的过热能力的影响第119-123页
    6.2 溶解度温度系数以及基板效应对α/sub 薄膜的热稳定性的共同作用第123-131页
        6.2.1 薄膜的选取第124-125页
        6.2.2 实验过程及实验结果第125-127页
        6.2.3 基板和溶解度温度系数对薄膜热稳定的作用第127-129页
        6.2.4 基板效应和溶解度温度系数作用之间的联系第129-131页
    6.3 Y、Sm、Nd 三个体系的 Ts曲线决定的热稳定比较第131-132页
    6.4 本工作与之前 t. c. s. 工作的对比第132-133页
    6.5 本章小结第133-134页
    参考文献第134-137页
第七章 论文总结第137-139页
致谢第139-141页
攻读博士期间已发表或录用的论文第141页

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