摘要 | 第5-9页 |
ABSTRACT | 第9-12页 |
目录 | 第13-16页 |
第一章 绪论 | 第16-33页 |
1.1 量子自旋霍尔效应(QSHE)与拓扑绝缘体 | 第17-21页 |
1.1.1 量子霍尔效应(QHE)与量子自旋霍尔效应 | 第17-18页 |
1.1.2 拓扑绝缘体 | 第18-21页 |
1.2 反常量子霍尔效应 | 第21-22页 |
1.3 寻找实现反常量子霍尔效应的体系 | 第22-23页 |
1.4 费米能级的调节 | 第23-25页 |
1.5 本论文研究内容安排 | 第25-26页 |
参考文献 | 第26-33页 |
第二章 实验方法和实验仪器简介 | 第33-55页 |
2.1 晶体的助熔剂法生长[1] | 第33-39页 |
2.1.1 助熔剂法的基本原理及其分类 | 第33-36页 |
2.1.2 助熔剂的选择和分类 | 第36-38页 |
2.1.3 助熔剂法生长材料技术的优缺点 | 第38-39页 |
2.2 晶体的熔体法生长[1] | 第39-43页 |
2.2.1 熔体法的基本原理及特点 | 第39-40页 |
2.2.2 坩埚移动法 (Bridgman 法) | 第40-42页 |
2.2.3 区熔法 | 第42-43页 |
2.3 高温金相显微镜 | 第43-45页 |
2.4 扫描隧道显微镜 | 第45-48页 |
2.4.1 STM 的基本原理[17] | 第45-46页 |
2.4.2 STM 的结构以及工作模式 | 第46-48页 |
2.5 角分辨光电子能谱 | 第48-50页 |
2.6 综合物性测量系统[31] | 第50页 |
2.7 X 射线衍射[32] | 第50-51页 |
2.8 扫描电子显微分析[33] | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-55页 |
第三章 拓扑绝缘体 Bi_(2-x)Mn_xTe_3单晶的生长习性及缺陷研究 | 第55-74页 |
3.1 背景介绍 | 第55-58页 |
3.2 单晶的制备 | 第58-59页 |
3.3 未掺杂 Bi_2Te_3单晶的质量表征 | 第59-63页 |
3.4 溶液法生长的单晶的形貌及生长习性分析 | 第63-67页 |
3.5 Bi_(2-x)Mn_xTe_3单晶 STM 形貌及缺陷分析 | 第67-70页 |
3.6 本章小结 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-74页 |
第四章 磁性拓扑绝缘体 Cr_(0.05)Bi_xSb_(1.95-x)Te_3中载流子浓度与磁性的关联研究 | 第74-95页 |
4.1 背景介绍 | 第74-81页 |
4.2 单晶的制备 | 第81-82页 |
4.3 晶体结构和质量表征 | 第82-84页 |
4.4 晶体电学性质测试 | 第84-86页 |
4.5 Cr-Sb_2Te_3的磁学性质 | 第86-91页 |
4.5.1 测试方向以及 Cr 掺杂量的选择 | 第86-89页 |
4.5.2 Sb_(1.95-x)Bi_xCr_(0.05)Te_3的磁学性质 | 第89-91页 |
4.6 磁性和载流子浓度的关联 | 第91页 |
4.7 本章小结 | 第91-92页 |
参考文献 | 第92-95页 |
第五章 Fe 掺杂磁性拓扑绝缘体 Bi_2Se_3中铁磁性起源研究 | 第95-115页 |
5.1 背景介绍 | 第95-101页 |
5.2 单晶的制备 | 第101-102页 |
5.3 掺杂晶体的质量以及成分表征 | 第102-103页 |
5.4 Ca_xBi_(1.84-x)Fe_(0.16)Se_3单晶的电学性质 | 第103-106页 |
5.5 Ca_xBi_(1.84-x)Fe_(0.16)Se_3单晶的磁学性质 | 第106-110页 |
5.6 磁性和载流子浓度的关联 | 第110-111页 |
5.7 本章小结 | 第111页 |
参考文献 | 第111-115页 |
第六章 稀土钡铜氧薄膜的热稳定性研究 | 第115-137页 |
6.1 研究背景介绍 | 第115-123页 |
6.1.1 熔化及过热 | 第115-119页 |
6.1.2 基板效应以及溶解度温度系数对薄膜的过热能力的影响 | 第119-123页 |
6.2 溶解度温度系数以及基板效应对α/sub 薄膜的热稳定性的共同作用 | 第123-131页 |
6.2.1 薄膜的选取 | 第124-125页 |
6.2.2 实验过程及实验结果 | 第125-127页 |
6.2.3 基板和溶解度温度系数对薄膜热稳定的作用 | 第127-129页 |
6.2.4 基板效应和溶解度温度系数作用之间的联系 | 第129-131页 |
6.3 Y、Sm、Nd 三个体系的 Ts曲线决定的热稳定比较 | 第131-132页 |
6.4 本工作与之前 t. c. s. 工作的对比 | 第132-133页 |
6.5 本章小结 | 第133-134页 |
参考文献 | 第134-137页 |
第七章 论文总结 | 第137-139页 |
致谢 | 第139-141页 |
攻读博士期间已发表或录用的论文 | 第141页 |