| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 宽禁带半导体的研究进展 | 第11-17页 |
| ·宽禁带半导体的发展历史 | 第11-13页 |
| ·GaN的基本性质 | 第13-15页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第15-17页 |
| 2 实验所用设备和相关表征技术 | 第17-31页 |
| ·MOCVD技术与设备 | 第17-24页 |
| ·沉积ZnO薄膜MOCVD设备 | 第18-21页 |
| ·沉积GaN薄膜MOCVD设备 | 第21-24页 |
| ·表征技术 | 第24-31页 |
| ·X射线衍射(X-ray diffraction,XRD) | 第24-25页 |
| ·霍尔效应测试(Hall effect) | 第25-27页 |
| ·光致发光谱(Photoluminescence,PL) | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜(Scanning electron microscope,SEM) | 第28-29页 |
| ·X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS) | 第29-31页 |
| 3 利用高压氢气处理对ZnO薄膜结构、电学和光学性质影响 | 第31-41页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验方法与过程 | 第31-32页 |
| ·表征结果与分析 | 第32-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 SiC衬底GaN基发光二极管芯片的制备 | 第41-52页 |
| ·衬底的选择 | 第42-44页 |
| ·蓝宝石衬底的特点 | 第42-43页 |
| ·碳化硅衬底的优势所在 | 第43-44页 |
| ·MOCVD生长SiC衬底GaN基蓝光外延片 | 第44-48页 |
| ·生长在位监测系统 | 第44-46页 |
| ·SiC衬底上生长GaN蓝光外延片 | 第46-48页 |
| ·实验结果与遇到的困难 | 第48-52页 |
| ·实验结果 | 第48-50页 |
| ·遇到的困难 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
