| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 电化学生物传感器 | 第11-13页 |
| 1.1.1 电化学生物传感器简介 | 第11页 |
| 1.1.2 电化学生物传感器的发展 | 第11-12页 |
| 1.1.3 电化学生物传感器应用中面临的问题 | 第12-13页 |
| 1.2 基于硼掺杂金刚石膜电极的电化学生物传感器 | 第13-18页 |
| 1.2.1 硼掺杂金刚石简介 | 第13-14页 |
| 1.2.2 硼掺杂金刚石电极的优点 | 第14-15页 |
| 1.2.3 硼掺杂金刚石膜的制备技术简介 | 第15-17页 |
| 1.2.4 硼掺杂金刚石电极生物传感器的发展与应用 | 第17-18页 |
| 1.3 修饰电化学生物传感器电极的纳米敏感材料 | 第18-21页 |
| 1.3.1 修饰电化学生物传感器电极的纳米敏感材料的分类与应用 | 第18-19页 |
| 1.3.2 纳米敏感材料修饰硼掺杂金刚石电极的应用 | 第19页 |
| 1.3.3 纳米Ni修饰电化学生物传感器的优势 | 第19-20页 |
| 1.3.4 纳米Ni修饰电化学生物传感器的应用 | 第20-21页 |
| 1.4 研究工作简介 | 第21-24页 |
| 第二章 自支撑硼掺杂金刚石膜电极 | 第24-49页 |
| 2.1 自支撑掺硼金刚石膜制备 | 第24-29页 |
| 2.1.1 电子辅助热丝CVD沉积掺硼金刚石膜结构和原理 | 第24-25页 |
| 2.1.2 电子辅助热丝CVD沉积金刚石膜的实验介绍 | 第25-27页 |
| 2.1.3 掺硼金刚石膜的测试与表征 | 第27-29页 |
| 2.2 金刚石膜的生长机制 | 第29-35页 |
| 2.2.1 金刚石膜的形核与生长 | 第29-30页 |
| 2.2.2 金刚石膜生长的动态模型 | 第30-32页 |
| 2.2.3 碳源浓度对金刚石生长的影响 | 第32-35页 |
| 2.3 硼掺杂金刚石膜的生长和导电特性 | 第35-40页 |
| 2.3.1 硼掺杂浓度对BDD膜生长的影响 | 第35-38页 |
| 2.3.2 硼掺杂的扩散机制 | 第38-39页 |
| 2.3.3 硼掺杂金刚石膜的导电特性 | 第39-40页 |
| 2.4 掺硼金刚石电极的电化学特性 | 第40-48页 |
| 2.4.1 掺硼金刚石电极的制作 | 第40-41页 |
| 2.4.2 掺硼金刚石电极的电化学窗口和背景电流 | 第41-42页 |
| 2.4.3 掺硼金刚石电极的稳定性 | 第42-43页 |
| 2.4.4 掺硼金刚石电极的氧化还原可逆性 | 第43-45页 |
| 2.4.5 硼的掺杂浓度对掺硼金刚石电极电化学特性的影响 | 第45-48页 |
| 2.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第三章 纳米多孔Ni修饰掺硼金刚石电极检测L-丙氨酸 | 第49-66页 |
| 3.1 丙氨酸传感器的研究意义 | 第49-50页 |
| 3.2 纳米多孔Ni修饰BDD电极传感器 | 第50-53页 |
| 3.2.1 纳米多孔Ni在BDD电极表面的沉积 | 第50页 |
| 3.2.2 纳米多孔Ni的微观结构和特性 | 第50-53页 |
| 3.3 NP-Ni/BDD电极检测L-丙氨酸 | 第53-64页 |
| 3.3.1 电化学实验简介 | 第53页 |
| 3.3.2 NP-Ni/BDD电极的电化学特性 | 第53-56页 |
| 3.3.3 扫描速率和溶液pH值变化的影响 | 第56-58页 |
| 3.3.4 L-丙氨酸浓度变化的电流响应 | 第58-59页 |
| 3.3.5 NP-Ni/BDD电极的抗干扰特性 | 第59-61页 |
| 3.3.6 NP-Ni/BDD电极的稳定性，重复性，再现性和使用寿命 | 第61-63页 |
| 3.3.7 NP-Ni/BDD电极的实物检测应用 | 第63-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 Ni-NiO纳米半开管修饰掺硼金刚石电极检测L-丝氨酸 | 第66-88页 |
| 4.1 Ni-NiO纳米半开管修饰BDD电极传感器的研究意义 | 第66-67页 |
| 4.2 纳米Ni-NiO半开管修饰BDD电极 | 第67-74页 |
| 4.2.1 BDD电极的封装和预处理 | 第67-68页 |
| 4.2.2 Ni/ PTFE模板的制备 | 第68页 |
| 4.2.3 Ni-NiO HNTs电化学盖印修饰BDD电极 | 第68-70页 |
| 4.2.4 Ni-NiO HNTs的微观结构和特性 | 第70-73页 |
| 4.2.5 脉冲电化学沉积时间对Ni-NiO HNTs修饰的影响 | 第73-74页 |
| 4.3 Ni-NiO HNTs/BDD电极检测L-丝氨酸 | 第74-82页 |
| 4.3.1 电化学实验简介 | 第74-75页 |
| 4.3.2 Ni-NiO HNTs/BDD电极的电化学特性 | 第75-77页 |
| 4.3.3 扫描速率变化的影响 | 第77-78页 |
| 4.3.4 溶液pH值变化的影响 | 第78-79页 |
| 4.3.5 L-丝氨酸浓度变化的电流响应 | 第79-80页 |
| 4.3.6 Ni-NiO HNTs/BDD电极的抗干扰性 | 第80-81页 |
| 4.3.7 Ni-NiO HNTs/BDD电极的稳定性和再现性 | 第81-82页 |
| 4.4 Ni-NiO HNTs/BDD电极传感器制作与丝氨酸食品添加剂检测 | 第82-86页 |
| 4.4.1 Ni-NiO HNTs/BDD电极传感器件封装与检测电路 | 第82-84页 |
| 4.4.2 Ni-NiO HNTs/BDD电极传感器检测丝氨酸电流响应线性方程 | 第84-85页 |
| 4.4.3 Ni-HNTs/BDD电极传感器检测丝氨酸食品添加剂 | 第85-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-88页 |
| 第五章 Ni纳米片与纳米金刚石复合修饰掺硼金刚石电极的葡萄糖无酶传感器 | 第88-112页 |
| 5.1 无酶葡萄糖传感器的研究意义 | 第88-89页 |
| 5.2 Ni纳米片与纳米金刚石复合修饰掺硼金刚石膜电极 | 第89-94页 |
| 5.2.1 纳米金刚石微粉的氧化处理 | 第89-90页 |
| 5.2.2 Ni-ND复合修饰BDD电极 | 第90-91页 |
| 5.2.3 Ni-ND/BDD电极的微观表征 | 第91-92页 |
| 5.2.4 ND修饰对Ni-ND/BDD表面形貌的影响 | 第92-94页 |
| 5.3 Ni-ND/BDD电极检测葡萄糖 | 第94-104页 |
| 5.3.1 电化学实验简介 | 第94-95页 |
| 5.3.2 Ni-ND/BDD电极的电化学特性 | 第95-98页 |
| 5.3.3 扫描速率变化的影响 | 第98-100页 |
| 5.3.4 溶液pH值变化的影响 | 第100-101页 |
| 5.3.5 葡萄糖浓度变化的CV特性 | 第101-102页 |
| 5.3.6 Ni-ND/BDD电极的抗干扰特性 | 第102-104页 |
| 5.3.7 Ni-ND/BDD电极的稳定性和再现性 | 第104页 |
| 5.4 Ni-ND/BDD电极传感器制作与血清血糖检测 | 第104-110页 |
| 5.4.1 Ni-ND/BDD电极传感器件封装与检测电路 | 第104-106页 |
| 5.4.2 Ni-ND/BDD电极传感器检测葡萄糖电流响应线性方程 | 第106-107页 |
| 5.4.3 Ni-ND/BDD电极传感器检测血清血糖 | 第107-110页 |
| 5.5 本章小结 | 第110-112页 |
| 第六章 总结与展望 | 第112-116页 |
| 6.1 全文总结 | 第112-114页 |
| 6.2 工作展望 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-134页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
