首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--真空电子技术论文--一般性问题论文--电真空器件材料论文--显示材料论文

α粒子辐射对LED用荧光粉性能的影响

中文摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-26页
   ·光致发光现象第9-14页
     ·概述第9-10页
     ·发光材料的激发波段与应用背景第10-14页
   ·稀土发光材料第14-15页
   ·稀土离子的发光理论第15-22页
     ·稀土离子的能级与跃迁的基本原理第15-19页
     ·能量传递理论第19-21页
     ·荧光材料的色纯度第21-22页
   ·辐照对发光材料的影响第22-24页
     ·辐射的种类及与物质相互作用介绍第22-23页
     ·应用发光材料受到的主要辐射第23页
     ·辐射在材料表面改性的应用第23-24页
   ·本文的选题意义和论文结构第24-26页
     ·选题意义第24页
     ·研究内容和方法第24-25页
     ·论文结构第25-26页
第二章 实验部分第26-34页
   ·样品的制备第26-28页
     ·主要试剂第26页
     ·实验设备第26-27页
     ·样品的制备方法第27-28页
   ·样品的测试与表征第28-30页
     ·X射线粉末衍射(XRD)第28-29页
     ·荧光性能测试第29-30页
   ·样品的辐照第30-34页
     ·α源的活度测试与能量刻度第30-32页
     ·辐照过程第32-34页
第三章 α辐照BaMgAl_(10)O_(17):0.1Eu~(2+)及性能改变研究第34-47页
   ·样品制备第34页
   ·α粒子辐照第34-35页
   ·性能测试第35-38页
     ·真空紫外荧光测试第35-36页
     ·X射线衍射测试(XRD)第36-37页
     ·扫描电子显分析(SEM)第37-38页
   ·结果分析第38-46页
     ·BaMgAl_(10)O_(17):Eu~(2+)的晶体结构和发光性质第38-39页
     ·α粒子与靶物质作用机理第39-40页
     ·α粒子在BAM中的射程第40-41页
     ·α粒子在BAM中的比电离及总电离第41-42页
     ·α粒子在BAM中的损失分布第42-43页
     ·BAM主峰451nm光强先增大后减小第43-45页
     ·辐照后BAM出现Eu~(3+)特征峰第45-46页
     ·辐照前BAM中铕离子发光效率并没有达到最优第46页
   ·结论第46-47页
第四章 α辐照Y_2O_3:Eu~(3+)及性能改变第47-60页
   ·样品制备第47页
   ·α辐照第47页
   ·辐照前后性能测试第47-51页
     ·真空紫外荧光测试第48-49页
     ·紫外荧光测试第49-50页
     ·X射线衍射测试(XRD)第50页
     ·扫描电子显微分析(EM)第50-51页
   ·结果分析第51-58页
     ·Y_2O_3:Eu~(3+)晶体结构和发光特性第52页
     ·α粒子辐照过程第52-54页
     ·辐照后发射光谱变化趋势第54-58页
   ·结论第58-60页
第五章 结论与展望第60-62页
   ·主要结论第60页
   ·存在的主要问题第60-61页
   ·研究展望第61-62页
参考文献第62-65页
致谢第65-66页
附录Ⅰ-Ⅶ第66-74页

论文共74页,点击 下载论文
上一篇:微晶硅薄膜的制备及其特性研究
下一篇:Li、Mg掺杂/Li-Mg共掺杂ZnO薄膜及其ZnO-金属肖特基二极管的研制