化学气相沉积法制备石墨烯研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨烯的性质 | 第11-14页 |
| 1.2.1 机械特性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 石墨烯能带结构 | 第12-14页 |
| 1.3 石墨烯的应用 | 第14-15页 |
| 1.3.1 纳电子器件方面应用 | 第14页 |
| 1.3.2 透明导电薄膜 | 第14-15页 |
| 1.3.3 导热材料 | 第15页 |
| 1.4 石墨烯的制备 | 第15-19页 |
| 1.4.1 微机械剥离法 | 第15-16页 |
| 1.4.2 氧化还原法 | 第16页 |
| 1.4.3 外延生长法 | 第16-17页 |
| 1.4.4 化学气相沉积法 | 第17-19页 |
| 1.5 本课题研究意义与目的 | 第19-20页 |
| 第2章 实验设备与实验材料 | 第20-34页 |
| 2.1 实验设备与仪器 | 第20-23页 |
| 2.1.1 真空获得系统 | 第21页 |
| 2.1.2 管式真空室 | 第21页 |
| 2.1.3 加热系统 | 第21-22页 |
| 2.1.4 检测系统 | 第22页 |
| 2.1.5 传动及冷却系统 | 第22-23页 |
| 2.2 实验材料及药品 | 第23页 |
| 2.3 工艺过程 | 第23-26页 |
| 2.3.1 基片预处理 | 第24-25页 |
| 2.3.2 石墨烯沉积工艺 | 第25页 |
| 2.3.3 石墨烯转移工艺 | 第25-26页 |
| 2.4 石墨烯表征方法及仪器 | 第26-32页 |
| 2.4.1 拉曼光谱 | 第26-29页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第29-30页 |
| 2.4.3 光学显微镜 | 第30-31页 |
| 2.4.4 X射线衍射仪 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 铜基底低压化学气相沉积石墨烯 | 第34-50页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 铜基底沉积石墨烯初始实验 | 第34-40页 |
| 3.2.1 实验参数初定 | 第34-35页 |
| 3.2.2 实验结果与分析 | 第35-39页 |
| 3.2.3 小结 | 第39-40页 |
| 3.3 铜基底沉积石墨烯实验 | 第40-48页 |
| 3.3.1 铜基底沉积石墨烯工艺参数 | 第40-41页 |
| 3.3.2 实验结果及分析 | 第41-48页 |
| 3.3.3 小结 | 第48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 铜晶向对石墨烯质量影响 | 第50-62页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 不同铜晶面对石墨烯质量影响研究实验 | 第50-60页 |
| 4.2.1 实验参数 | 第50-51页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第51-58页 |
| 4.2.3 小结 | 第58-60页 |
| 4.3 铜基底化学气相沉积石墨烯最优工艺参数确定 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 结论 | 第62页 |
| 5.2 展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
