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熔石英光学元件表面微区离子束修饰技术研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-16页
    1.1 课题背景及意义第9-10页
    1.2 国内外研究现状第10-12页
        1.2.1 国外研究情况第10-11页
        1.2.2 国内的研究现状第11-12页
    1.3 元件表面处理技术第12-14页
    1.4 论文选题依据第14-15页
    1.5 论文研究内容第15-16页
第二章 离子束刻蚀技术及仿真第16-30页
    2.1 离子束刻蚀技术的发展第16-17页
    2.2 离子束溅射理论基础第17-20页
    2.3 利用TRIM软件模拟优化离子束刻蚀参数第20-28页
        2.3.1 对离子束入射角度的优化第21-24页
        2.3.2 对离子束能量的优化第24-26页
        2.3.3 Ar离子浓度随刻蚀深度的变化第26-27页
        2.3.4 DPA随刻蚀深度的变化第27-28页
        2.3.5 束流密度的优化第28页
    2.4 本章小结第28-30页
第三章 K9玻璃表面光学膜层去除工艺第30-44页
    3.1 实验过程及参数设定第30-31页
    3.2 样品准备及刻蚀速率的测定第31-32页
    3.3 常用表征仪器第32-33页
    3.4 离子束刻蚀参数的优化第33-43页
        3.4.1 离子束入射角度的优化第33-36页
        3.4.2 离子束束流密度的优化第36-39页
        3.4.3 离子束能量优化第39-43页
    3.5 本章小结第43-44页
第四章 石英元件表面三倍频膜去除工艺第44-52页
    4.1 三倍频膜增透原理及其损伤机理第44-45页
    4.2 实验工艺流程和离子束参数设定第45页
    4.3 样品表征结果及其分析第45-51页
    4.4 本章小结第51-52页
第五章 熔石英元件修复区表面微修整形工艺第52-62页
    5.1 现有处理技术及其对比第52-53页
    5.2 物理模型构建第53-54页
    5.3 离子束刻蚀参数的分析第54页
    5.4 修复区微修形工艺实验第54-61页
        5.4.1 修复区烧蚀去除工艺实验第54-57页
        5.4.2 修复区凸起圆环去除工艺实验第57-61页
    5.5 本章小结第61-62页
第六章 总结与展望第62-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-70页

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