| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 选题背景 | 第11-12页 |
| 1.2 速调管放大器的工作原理 | 第12-13页 |
| 1.3 速调管放大器的发展概况 | 第13-16页 |
| 1.4 速调管放大器输出腔的发展概况 | 第16-22页 |
| 1.5 论文研究的意义 | 第22页 |
| 1.6 本论文的主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 输出腔的束波互作用理论分析 | 第24-40页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 输出腔的等效电路模型分析 | 第24-26页 |
| 2.3 多间隙输出腔的理论分析 | 第26-32页 |
| 2.3.1 基本假设 | 第26页 |
| 2.3.2 电子圆盘在间隙处的速度和位移的计算 | 第26-29页 |
| 2.3.3 电子效率 | 第29-32页 |
| 2.4 单间隙输出腔的效率和双间隙输出腔的效率计算 | 第32-35页 |
| 2.4.1 单间隙输出腔的电子效率 | 第32-33页 |
| 2.4.2 双间隙输出腔的电子效率 | 第33-35页 |
| 2.5 输出腔中电子效率与物理参数的关系 | 第35-39页 |
| 2.5.1 各参数对单间隙输出腔电子效率的影响 | 第35-36页 |
| 2.5.2 各参数对双间隙输出腔电子效率的影响 | 第36-39页 |
| 2.6 小结 | 第39-40页 |
| 第三章 相对论速调管放大器输出腔的物理设计 | 第40-48页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 相对论速调管放大器输出腔的主要性能指标 | 第40-41页 |
| 3.2.1 输出功率 | 第40-41页 |
| 3.2.2 效率 | 第41页 |
| 3.3 直流电子束参数的选择 | 第41-43页 |
| 3.3.1 电子束功率 | 第41页 |
| 3.3.2 导流系数的确定及电子束电压电流的计算 | 第41-42页 |
| 3.3.3 电子束半径的选择 | 第42-43页 |
| 3.4 电子束聚焦系统的确定 | 第43页 |
| 3.5 电子束群聚参量的计算与选择 | 第43-44页 |
| 3.5.1 漂移管半径的选择 | 第43-44页 |
| 3.5.2 漂移管长度的选择 | 第44页 |
| 3.6 电子束与高频场互作用参量的计算 | 第44-46页 |
| 3.6.1 单间隙谐振腔中的耦合系数和电子负载 | 第44-45页 |
| 3.6.2 双间隙耦合腔中的耦合系数和电子电导 | 第45-46页 |
| 3.7 谐振腔参数的确定 | 第46-47页 |
| 3.7.1 谐振腔形状的设计 | 第46页 |
| 3.7.2 间隙距离的选择 | 第46页 |
| 3.7.3 谐振腔间隙阻抗的设计 | 第46-47页 |
| 3.8 小结 | 第47-48页 |
| 第四章 输出腔的高频参数计算 | 第48-55页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 双间隙输出腔的高频参数设计 | 第48-51页 |
| 4.2.1 双间隙谐振腔模型 | 第48页 |
| 4.2.2 封闭腔的谐振频率和场分布 | 第48-49页 |
| 4.2.3 特性阻抗 | 第49-50页 |
| 4.2.4 双间隙输出腔开放腔的计算 | 第50页 |
| 4.2.5 双间隙输出腔开放腔的谐振频率和场分布 | 第50-51页 |
| 4.2.6 开放腔的有载Q值 | 第51页 |
| 4.3 单间隙输出腔的高频参数设计 | 第51-54页 |
| 4.3.1 封闭腔模型 | 第51-52页 |
| 4.3.2 封闭腔的谐振频率、场分布和特性阻抗 | 第52页 |
| 4.3.3 单间隙输出腔开放腔模型 | 第52-53页 |
| 4.3.4 开放腔的谐振频率、场分布和有载Q值 | 第53-54页 |
| 4.4 小结 | 第54-55页 |
| 第五章 输出腔的粒子模拟与优化 | 第55-63页 |
| 5.1 引言 | 第55页 |
| 5.2 双间隙输出腔的粒子模拟 | 第55-57页 |
| 5.2.1 结构模型 | 第55-56页 |
| 5.2.2 粒子模拟 | 第56-57页 |
| 5.3 单间隙输出腔的粒子模拟 | 第57-58页 |
| 5.3.1 结构模型 | 第57页 |
| 5.3.2 粒子模拟 | 第57-58页 |
| 5.4 二次提取腔的设计与粒子模拟 | 第58-60页 |
| 5.4.1 二次提取腔结构模型 | 第58-59页 |
| 5.4.2 粒子模拟 | 第59-60页 |
| 5.5 各参量对二次提取腔输出功率和效率的影响 | 第60-62页 |
| 5.5.1 效率随频率的变化 | 第60-61页 |
| 5.5.2 效率随调制深度的变化 | 第61页 |
| 5.5.3 效率随磁场的变化 | 第61页 |
| 5.5.4 效率随漂移距离的变化 | 第61-62页 |
| 5.6 小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| 6.1 全文总结 | 第63页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第69-70页 |