一种用于逆变模块的快恢复二极管设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 引言 | 第9-12页 |
| 1.2 快恢复二极管国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 快恢复二极管理论 | 第14-34页 |
| 2.1 快恢复二极管静态特性 | 第14-19页 |
| 2.1.1 反向击穿电压 | 第14-16页 |
| 2.1.2 正向导通压降 | 第16-19页 |
| 2.2 快恢复二极管的动态特性 | 第19-26页 |
| 2.2.1 快恢复二极管的开通特性 | 第19-20页 |
| 2.2.2 快恢复二极管的反向恢复特性 | 第20-26页 |
| 2.3 寿命控制技术 | 第26-29页 |
| 2.3.1 深能级杂质扩散 | 第27-28页 |
| 2.3.2 高能粒子轰击 | 第28-29页 |
| 2.4 阳极注入效率控制技术 | 第29-33页 |
| 2.4.1 CIC二极管 | 第29-30页 |
| 2.4.2 SSD二极管 | 第30-31页 |
| 2.4.3 SPEED二极管 | 第31-32页 |
| 2.4.4 MPS二极管 | 第32-33页 |
| 2.5 基区阶梯掺杂技术 | 第33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 快恢复二极管元胞设计 | 第34-63页 |
| 3.1 元胞结构设计 | 第34-35页 |
| 3.2 工艺流程设计 | 第35-37页 |
| 3.2.1 外延工艺 | 第36页 |
| 3.2.2 氧化工艺 | 第36-37页 |
| 3.2.3 铂溅射和扩散工艺 | 第37页 |
| 3.3 元胞参数设计 | 第37-56页 |
| 3.3.1 外延参数设计 | 第37-42页 |
| 3.3.2 金属槽参数设计 | 第42-45页 |
| 3.3.3 Pbody参数设计 | 第45-51页 |
| 3.3.4 Psd参数设计 | 第51-53页 |
| 3.3.5 载流子寿命设计 | 第53-56页 |
| 3.4 元胞静态特性总结 | 第56-58页 |
| 3.4.1 反向击穿特性 | 第56-57页 |
| 3.4.2 正向导通特性 | 第57-58页 |
| 3.5 反向恢复特性总结与对比 | 第58-62页 |
| 3.5.1 无寄生电感反向恢复特性 | 第58-60页 |
| 3.5.2 低寄生电感反向恢复特性 | 第60-61页 |
| 3.5.3 高寄生电感反向恢复特性 | 第61-62页 |
| 3.6 本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 快恢复二极管终端设计与版图设计 | 第63-72页 |
| 4.1 结终端选型 | 第63-65页 |
| 4.1.1 场限环技术 | 第63-64页 |
| 4.1.2 场板技术 | 第64页 |
| 4.1.3 场板加场限环技术 | 第64-65页 |
| 4.2 终端工艺设计 | 第65页 |
| 4.3 终端结构设计 | 第65-68页 |
| 4.4 快恢复二极管版图设计 | 第68-70页 |
| 4.5 工艺总结 | 第70-71页 |
| 4.6 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第76-77页 |
