CMOS两点调制式压控振荡器的研究
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第13-14页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第14-15页 |
| 第2章 压控振荡器的原理及分类 | 第15-27页 |
| 2.1 压控振荡器的基本原理 | 第15-17页 |
| 2.1.1 振荡器的基本原理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 VCO的电压-频率特性 | 第16-17页 |
| 2.2 压控振荡器的分类 | 第17-20页 |
| 2.2.1 环形振荡器 | 第17-18页 |
| 2.2.2 电感电容振荡器 | 第18-20页 |
| 2.3 相位噪声分析 | 第20-25页 |
| 2.3.1 相位噪声的特性 | 第20-22页 |
| 2.3.2 相位噪声的分类 | 第22-25页 |
| 2.3.2.1 热噪声 | 第22-23页 |
| 2.3.2.2 闪烁噪声 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 锁相环路两点调制方式原理分析 | 第27-33页 |
| 3.1 锁相环路直接调制方式 | 第27-29页 |
| 3.2 锁相环路两点调制方式 | 第29-31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-33页 |
| 第4章 可变电容器及片上电感特性分析 | 第33-39页 |
| 4.1 可变电容器特性分析 | 第33-37页 |
| 4.1.1 PN结可变电容器 | 第33-34页 |
| 4.1.2 MOS管可变电容器 | 第34-37页 |
| 4.1.2.1 普通型MOS管可变电容器 | 第34-35页 |
| 4.1.2.2 反型MOS管可变电容器 | 第35-36页 |
| 4.1.2.3 累积型MOS管可变电容器 | 第36-37页 |
| 4.2 片上电感特性分析 | 第37-38页 |
| 4.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 CMOS电感电容压控振荡器电路设计分析 | 第39-51页 |
| 5.1 LC VCO电路结构的选择 | 第39-42页 |
| 5.2 LC振荡回路的设计 | 第42-43页 |
| 5.3 镜像电流源的设计 | 第43-45页 |
| 5.4 带隙基准的设计 | 第45-47页 |
| 5.5 电路设计前仿真 | 第47-50页 |
| 5.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第6章 版图设计及芯片试作 | 第51-59页 |
| 6.1 VCO版图设计 | 第51-54页 |
| 6.2 LC VCO后仿真测试 | 第54-56页 |
| 6.3 芯片试作 | 第56-57页 |
| 6.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录 | 第65-67页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表及科研情况 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
