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长余辉材料力致发光检测系统的设计与研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-16页
   ·研究背景第10-11页
   ·长余辉材料力致发光测量技术第11-15页
     ·APD探测器的发展第11-12页
     ·APD外围驱动技术研究进展第12-15页
   ·本课题主要研究内容第15-16页
第二章 几种光电转换方案的比较第16-21页
   ·PIN光电探测器第16-17页
     ·PIN光电探测器的原理第16-17页
     ·PIN光电探测器的特点第17页
   ·雪崩光电二极管(APD)第17-18页
     ·APD工作原理第17-18页
     ·APD性能特点第18页
   ·光电倍增管(PMT)探测器第18-20页
     ·光电倍增管的工作原理第18-19页
     ·光电倍增管的主要特性第19-20页
   ·本章小结第20-21页
第三章 雪崩光电二极管的特性分析第21-29页
   ·雪崩光电二极管的参数第21-26页
     ·暗电流产生机理与测试第21-22页
     ·响应度与量子效率第22-24页
     ·雪崩倍增因子第24-26页
   ·APD探测器输出噪声与信噪比第26-28页
     ·APD探测器的噪声电流第26-27页
     ·APD探测器输出电流信噪比第27-28页
   ·本章小结第28-29页
第四章 光电探测子系统的设计第29-43页
   ·系统总体设计第29页
   ·接收光学系统第29-31页
   ·光电流放大电路的设计第31-38页
     ·测量原理及运算放大器选型第31-36页
     ·电路的设计与实现第36页
     ·光电流放大模块设计中的抗干扰措施第36-38页
   ·低纹波高压直流电源的设计第38-42页
     ·常见的DC-DC变换方案第38-39页
     ·推挽式DC-DC变换原理第39页
     ·低纹波高压电源模块的设计第39-42页
   ·本章小结第42-43页
第五章 嵌入式数据采集系统的设计第43-57页
   ·嵌入式数据采集系统硬件电路设计第43-49页
     ·MCU控制单元第43-45页
     ·STM32最小系统设计第45-46页
     ·供电电路设计第46-47页
     ·通信电路设计第47-48页
     ·JTAG调试电路设计第48-49页
   ·嵌入式数据采集系统软件设计第49-55页
     ·系统主程序模块第49-50页
     ·A/D转换程序设计第50-52页
     ·DMA传输第52-54页
     ·串口通信程序设计第54-55页
   ·本章小结第55-57页
第六章 样品的制备与系统测试第57-61页
   ·SrAl_2O_4:(Eu~(2+),Dy~(3+))长余辉发光膜的制备第57页
   ·光电探测子系统的测试第57-59页
   ·测试不同冲击力下SrAl_2O_4:(Eu~(2+),Dy~(3+))薄膜的力致发光特性第59-60页
   ·小结第60-61页
第七章 总结与展望第61-62页
   ·总结第61页
   ·展望第61-62页
参考文献第62-66页
致谢第66-67页
附录第67页

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