| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·ZnO的性质 | 第12-14页 |
| ·ZnO的晶体结构及物理性质 | 第12-13页 |
| ·ZnO的能带结构及光电性质 | 第13-14页 |
| ·ZnCdO和ZnO/ZnMgO多量子阱的基本介绍 | 第14-16页 |
| ·ZnCdO | 第14-15页 |
| ·ZnO/ZnMgO多量子阱 | 第15-16页 |
| ·金属表面等离激元性质及应用 | 第16-27页 |
| ·金属表面等离激元性质 | 第16-18页 |
| ·金属表面等离激元的应用领域 | 第18页 |
| ·金属表面等离激元增强材料发光机理 | 第18-19页 |
| ·金属表面等离激元增强半导体材料发光研究进展 | 第19-25页 |
| ·金属表面等离激元能量的调控 | 第25-27页 |
| ·本文主要研究内容和思路 | 第27-29页 |
| 第二章 材料生长与测试方法及设备 | 第29-37页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)设备 | 第29-32页 |
| ·PLD技术原理 | 第29-30页 |
| ·PLD法制备薄膜 | 第30-32页 |
| ·电子束蒸发(EBV)设备 | 第32-33页 |
| ·EBV技术原理 | 第32页 |
| ·EBV法蒸镀金属薄膜过程 | 第32-33页 |
| ·快速热退火(RTA)设备 | 第33-34页 |
| ·RTA设备工作原理 | 第33页 |
| ·RTA设备操作步骤 | 第33-34页 |
| ·标准光刻设备 | 第34-35页 |
| ·标准光刻技术原理 | 第34页 |
| ·光刻法制备金属阵列的步骤 | 第34-35页 |
| ·材料表征与测试设备 | 第35-37页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第35页 |
| ·原子力显徽镜(AFM) | 第35-36页 |
| ·荧光光谱测试(PL) | 第36页 |
| ·紫外-可见分光光度计(UV-vis) | 第36-37页 |
| 第三章 金属薄膜及阵列的制备 | 第37-51页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·金属薄膜制备及表征 | 第38-40页 |
| ·EBV法制备金属薄膜的形貌及退火对金属形貌的影响 | 第38-39页 |
| ·EBV法制备Ag岛薄膜的表面及光学特征 | 第39-40页 |
| ·标准光刻法制备金属微米阵列 | 第40页 |
| ·聚苯乙烯球模板法制备金属纳米阵列 | 第40-49页 |
| ·衬底亲水性处理 | 第41-42页 |
| ·聚苯乙烯球的自组装排列 | 第42-46页 |
| ·聚苯乙烯球的去除及金属阵列形貌调控 | 第46-48页 |
| ·不同金属形貌的吸收谱 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 金属薄膜增强ZnO及ZnO/ZnMgO多量子阱发光研究 | 第51-61页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·ZnO薄膜的制备及表征 | 第51-52页 |
| ·金属薄膜厚度对ZnO发光的影响 | 第52-53页 |
| ·退火对ZnO发光的影响 | 第53-56页 |
| ·增强ZnO/ZnMgO多量子阱发光 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 金属阵列增强ZnCdO及ZnO发光研究 | 第61-69页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·Ag微米阵列增强ZnCdO发光 | 第62-66页 |
| ·样品制备及形貌表征 | 第62-64页 |
| ·Ag对ZnCdO发光的影响 | 第64-66页 |
| ·Ag及Al纳米阵列增强ZnO发光研究 | 第66-68页 |
| ·样品制备及形貌表征 | 第66-67页 |
| ·Ag和Al阵列对ZnO薄膜发光的影响 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| ·总结 | 第69-70页 |
| ·展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 个人简历 | 第81-83页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第83页 |
