| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·LDMOS 器件的发展和研究现状 | 第11-15页 |
| ·LDMOS 器件结构及设计方法的发展 | 第11-14页 |
| ·与 LDMOS 器件相匹配的 BCD 工艺的发展 | 第14-15页 |
| ·课题意义和主要工作 | 第15-18页 |
| ·课题来源与课题意义 | 第15-16页 |
| ·主要工作及各章节安排 | 第16-18页 |
| 第二章 0.25μm LDMOS 的特性参数分析 | 第18-38页 |
| ·LDMOS 的一般结构及工作原理 | 第18-20页 |
| ·LDMOS 与普通低压 MOS 结构上的区别 | 第18-19页 |
| ·LDMOS 的工作原理 | 第19-20页 |
| ·0.25μm LDMOS 的特点 | 第20-24页 |
| ·0.25μm LDMOS 的结构特点 | 第21-23页 |
| ·0.25μm LDMOS 的工艺流程 | 第23-24页 |
| ·利用 Silvaco TCAD 建立 LDMOS 结构 | 第24-26页 |
| ·影响 LDMOS 特性参数的验证 | 第26-37页 |
| ·沟道宽度对 LDMOS 器件特性的影响 | 第26-30页 |
| ·沟道长度对 LDMOS 器件特性的影响 | 第30-33页 |
| ·场板长度对 LDMOS 器件特性的影响 | 第33-34页 |
| ·漂移区掺杂浓度对器件特性的影响 | 第34-36页 |
| ·漂移区横向尺寸对器件特性的影响 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 LDMOS 高压结构设计 | 第38-49页 |
| ·提高 LDMOS 器件击穿电压的分析 | 第38-40页 |
| ·0.25μm LDMOS 高耐压结构的设计 | 第40-45页 |
| ·场板长度的设计 | 第40-42页 |
| ·综合考虑场板和漂移区横向尺寸对 LDMOS 的优化 | 第42-45页 |
| ·低比导通电阻高耐压 LDMOS 的设计 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 高耐压 LDMOS 器件的工艺验证 | 第49-53页 |
| ·实现高耐压 LDMOS 的工艺设计 | 第49页 |
| ·高耐压 LDMOS 的测试验证 | 第49-52页 |
| ·阈值电压的测试验证 | 第50-51页 |
| ·饱和电流的测试验证 | 第51页 |
| ·耐压能力的测试验证 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 总结与展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附件 | 第60页 |
