| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| ·研究目的和意义 | 第9-11页 |
| ·SiC 材料的结构和性质 | 第11-13页 |
| ·低维 SiC 材料合成以及其光学和电学特性的研究进展 | 第13-16页 |
| ·纳米碳化硅薄膜的制备进展 | 第13-14页 |
| ·纳米碳化硅薄膜的发光研究进展 | 第14-15页 |
| ·纳米碳化硅薄膜的电学特性和光电器件研究进展 | 第15-16页 |
| ·当前主要存在问题和本文主要工作 | 第16-18页 |
| 第2章 实验原理及技术 | 第18-26页 |
| ·样品的制备 | 第18页 |
| ·薄膜的形貌和结构分析技术 | 第18-20页 |
| ·傅里叶变换红外吸收谱（FTIR） | 第18-19页 |
| ·X 射线的衍射分析（XRD） | 第19页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第19-20页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第20页 |
| ·薄膜的光学特性表征技术 | 第20-21页 |
| ·紫外－可见光透射谱(UV-VIS Transmission) | 第20-21页 |
| ·光致发光谱(PL)和荧光激发谱（PLE） | 第21页 |
| ·薄膜的电学、光电特性表征技术 | 第21-26页 |
| ·薄膜电阻率和异质结的 I-V 特性的测量 | 第21-23页 |
| ·异质结的表面光电压测量 | 第23-26页 |
| 第3章 纳米碳化硅薄膜的制备及紫外发光特性 | 第26-32页 |
| ·不同氢气条件下纳米碳化硅薄膜的结构特性 | 第27-30页 |
| ·纳米碳化硅的紫外发光 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 掺杂纳米碳化硅的光学和电学特性 | 第32-50页 |
| ·磷掺杂对纳米SiC 结构的影响 | 第32-36页 |
| ·不同比例掺杂的红外谱分析 | 第33-34页 |
| ·掺杂纳米碳化硅薄膜的 Raman 谱 | 第34-35页 |
| ·掺杂纳米 SiC 的表面形貌 | 第35-36页 |
| ·掺杂纳米 SiC 薄膜的光学特性 | 第36-39页 |
| ·掺杂纳米碳化硅的光吸收特性 | 第36-38页 |
| ·掺杂纳米碳化硅薄膜的光致发光特性 | 第38-39页 |
| ·掺杂纳米 SiC 薄膜的电学特性 | 第39-44页 |
| ·电导率测量的方法和结构 | 第39-40页 |
| ·SiC 的欧姆接触 | 第40页 |
| ·不同掺杂比例的 SiC 薄膜的电导率 | 第40-41页 |
| ·掺杂纳米 SiC 薄膜的导电机制 | 第41-44页 |
| ·掺杂纳米碳化硅/硅异质结的电学特性 | 第44-49页 |
| ·n-p nc-SiC/Si 异质结的I-V 特性 | 第45-46页 |
| ·nc-SiC/Si 异质结的电输运特性 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 纳米碳化硅/硅异质结的光电压特性 | 第50-59页 |
| ·光照作用下p-n 结能带结构的变化 | 第50-51页 |
| ·nc-SiC/Si 异质结的表面光电压特性 | 第51-54页 |
| ·SiC 在异质结中的窗口效应 | 第51-52页 |
| ·不同偏压下nc-SiC/Si 异质结中的光电压特性 | 第52-54页 |
| ·nc-SiC/Si 异质结的时间分辨光电压特性 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 结束语 | 第59-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
