| 目录 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-14页 |
| ·研究背景 | 第7-10页 |
| ·射频识别标签简介 | 第7-9页 |
| ·嵌入式非挥发性存储器简介 | 第9-10页 |
| ·研究现状 | 第10-12页 |
| ·低成本研究 | 第10页 |
| ·大容量存储器研究 | 第10-11页 |
| ·低电压与低功耗研究 | 第11-12页 |
| ·论文的主要工作和贡献 | 第12页 |
| ·论文组织结构 | 第12-14页 |
| 第二章 超高频无源标签系统对存储器的性能要求分析 | 第14-18页 |
| ·标签通信距离与芯片功耗关系 | 第14-17页 |
| ·UHF RFID标签系统对存储器读写速度的要求 | 第17页 |
| ·存储器读速度要求 | 第17页 |
| ·存储器写速度要求 | 第17页 |
| ·小结 | 第17-18页 |
| 第三章 存储单元特性研究与比较 | 第18-32页 |
| ·阻变存储单元结构概述 | 第18-25页 |
| ·1T1R Cu_xO阻变存储器的基本结构 | 第18-19页 |
| ·1T1R Cu_xO阻变存储器的基本特性与操作方式 | 第19-21页 |
| ·针对RFID应用优化的2T2R结构存储单元 | 第21-23页 |
| ·2T2R RRAM优势及设计难点 | 第23-25页 |
| ·EEPROM单元结构及操作原理简介 | 第25-27页 |
| ·性能比较 | 第27-31页 |
| ·Logic NVM简介 | 第27-28页 |
| ·铁电存储器简介 | 第28-29页 |
| ·性能比较小结 | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第四章 适用于无源超高频标签的RRAM设计 | 第32-62页 |
| ·系统架构描述 | 第32-33页 |
| ·RRAM存储阵列设计 | 第33-36页 |
| ·地址译码电路 | 第36-39页 |
| ·行译码电路 | 第37-38页 |
| ·列译码电路 | 第38-39页 |
| ·灵敏放大器 | 第39-44页 |
| ·比较器设计 | 第40-42页 |
| ·位线寄生分析 | 第42-44页 |
| ·高压管理电路 | 第44-53页 |
| ·高效率DC-DC电荷泵设计 | 第45-51页 |
| ·带尖峰电流控制的门控时钟稳压环路设计 | 第51-53页 |
| ·位线控制电路 | 第53-56页 |
| ·实现与测试 | 第56-61页 |
| ·标签整体测试 | 第57-58页 |
| ·RRAM存储器测试 | 第58-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第五章 低电压、低功耗EEPROM读出电路研究与实现 | 第62-74页 |
| ·EEPROM读操作难点分析 | 第62-65页 |
| ·首bit读错分析 | 第62-63页 |
| ·低电压读错分析 | 第63-65页 |
| ·电路实现 | 第65-70页 |
| ·阵列划分 | 第65-66页 |
| ·带预充电功能与修正功能的行译码电路 | 第66-68页 |
| ·低电压灵敏放大器设计 | 第68-70页 |
| ·芯片实现与测试 | 第70-73页 |
| ·测试结果 | 第71-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 第六章 总结与展望 | 第74-77页 |
| ·总结 | 第74-75页 |
| ·展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 附录Ⅰ 硕士期间的发表与著作情况 | 第80-81页 |
| 一作论文 | 第80页 |
| 署名论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |