| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-17页 |
| ·背景 | 第10页 |
| ·GaN的物理性质 | 第10-11页 |
| ·GaN的应用 | 第11-12页 |
| ·GaN的制备方法 | 第12-13页 |
| ·生长工艺 | 第12页 |
| ·金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第12-13页 |
| ·GaN薄膜技术的发展 | 第13-15页 |
| ·外延生长 | 第13页 |
| ·GaN的掺杂 | 第13-15页 |
| ·掺杂方式 | 第13-14页 |
| ·p型掺杂 | 第14页 |
| ·n型掺杂 | 第14-15页 |
| ·薄膜结构与电学特性的研究 | 第15页 |
| ·研究现状 | 第15页 |
| ·主要研究方法 | 第15页 |
| ·本论文的选题依据和主要内容 | 第15-17页 |
| ·选题依据 | 第16页 |
| ·本文的研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 实验平台构建 | 第17-26页 |
| ·实验仪器简介 | 第17-18页 |
| ·半导体外延单晶薄膜的高分辨X射线衍射表征方法及原理 | 第18-26页 |
| ·双晶衍射与三轴晶衍射 | 第18-19页 |
| ·实空间的布拉格衍射基本原理 | 第19-20页 |
| ·倒易空间的基本原理 | 第20-22页 |
| ·倒易空间的实验扫描模式 | 第22-24页 |
| ·基本模式 | 第22-23页 |
| ·倒易空间图(Reciprocal space mapping) | 第23页 |
| ·极图(Polar Map) | 第23-24页 |
| ·衍射实验的基本方法 | 第24-26页 |
| ·对称衍射 | 第24-25页 |
| ·非对称衍射 | 第25页 |
| ·斜对称衍射 | 第25-26页 |
| 第三章 二次退火对Mg掺杂p-GaN外延应变、薄膜结构及电学特性影响的X射线衍射研究 | 第26-59页 |
| ·背景 | 第26页 |
| ·试样简介 | 第26-27页 |
| ·外延应变测定及薄膜结构表征 | 第27-53页 |
| ·实验实施 | 第27页 |
| ·p-GaN薄膜的外延应变 | 第27-36页 |
| ·外延应变的相对测量 | 第27-32页 |
| ·外延应变的绝对测量 | 第32-35页 |
| ·两种测量结果的比较及最后结果选取 | 第35-36页 |
| ·二次退火对外延应变的影响 | 第36-38页 |
| ·p-GaN外延层及其与模板层之间的应变梯度 | 第38-41页 |
| ·p-GaN外延层的极图表征 | 第41页 |
| ·p-GaN薄膜镶嵌结构的测量 | 第41-53页 |
| ·双晶摇摆曲线测量 | 第43-45页 |
| ·倾转角与扭转角测量 | 第45-48页 |
| ·p-GaN中的位错密度 | 第48-53页 |
| ·p-GaN的电学特性分析 | 第53-57页 |
| ·外延应变对p型电学特性的影响 | 第54-56页 |
| ·原位退火对p型电学特性的影响 | 第56-57页 |
| ·位错对p型电学特性的影响 | 第57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第四章 Si离子注入n-GaN的薄膜结构与电学特性关系的X射线衍射研究 | 第59-73页 |
| ·背景 | 第59页 |
| ·试样简介 | 第59-60页 |
| ·实验实施 | 第60-61页 |
| ·实验结果与分析 | 第61-71页 |
| ·Si离子注入对 GaN的损伤 | 第61-64页 |
| ·离子注入剂量对损伤的影响 | 第64-67页 |
| ·RTA对损伤的影响 | 第67-68页 |
| ·电学特性分析 | 第68-71页 |
| ·小结 | 第71-73页 |
| 第五章 高Al组分AlGaN的生长结构对其晶体质量影响的三轴晶X射线衍射分析 | 第73-79页 |
| ·背景 | 第73页 |
| ·试样简介 | 第73-74页 |
| ·实验实施 | 第74页 |
| ·实验结果与分析 | 第74-78页 |
| ·AlGaN的 TAXRD扫描及 Al组分确定 | 第74-75页 |
| ·AlGaN的外延质量表征 | 第75-78页 |
| ·GaN、AIN模板层对 AlGaN外延质量的不同影响 | 第78页 |
| ·小结 | 第78-79页 |
| 第六章 主要结论与展望 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-87页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第87页 |
