| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| ·超导体的特性和应用 | 第11-13页 |
| ·超导体的特性 | 第11-12页 |
| ·超导体的应用 | 第12-13页 |
| ·MgB_2概述 | 第13-14页 |
| ·MgB_2的研究现状 | 第14-20页 |
| ·本课题研究的目的、内容及意义 | 第20-23页 |
| ·研究目的 | 第20-21页 |
| ·研究内容 | 第21页 |
| ·研究意义 | 第21-23页 |
| 第2章 实验方法 | 第23-33页 |
| ·研究方案 | 第23-24页 |
| ·实验原料及初始粉末的制备 | 第24-30页 |
| ·实验原料及来源 | 第24-25页 |
| ·初始粉末的制备 | 第25-30页 |
| ·压制及烧结成型 | 第30-31页 |
| ·压制成型工艺及方法 | 第30-31页 |
| ·烧结方法及工艺 | 第31页 |
| ·实验仪器及测试方法 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 传统无压烧结合成纳米 SiC掺杂MgB_2 块材 | 第33-49页 |
| ·传统烧结机理概述 | 第33-34页 |
| ·掺杂MgB_2块材的制备 | 第34-35页 |
| ·块材相成份的影响因素 | 第35-40页 |
| ·烧结方式 | 第35-36页 |
| ·SiC掺杂量及Mg、B原子比 | 第36-38页 |
| ·烧结温度 | 第38-39页 |
| ·烧结时间 | 第39-40页 |
| ·烧结工艺对块材微观形貌的影响 | 第40-42页 |
| ·烧结温度 | 第40-41页 |
| ·烧结保温时间 | 第41-42页 |
| ·超导电性的影响因素 | 第42-46页 |
| ·SiC掺杂量 | 第43-45页 |
| ·Mg、B原子比 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-49页 |
| 第4章 放电等离子烧结（SPS）合成纳米 SiC掺杂MgB_2 块材 | 第49-59页 |
| ·SPS烧结概述 | 第49-50页 |
| ·SPS基本原理及装置 | 第49页 |
| ·SPS特点 | 第49-50页 |
| ·SiC掺杂MgB_2块材的制备 | 第50-51页 |
| ·SPS烧结工艺对块材成份的影响 | 第51-53页 |
| ·烧结温度 | 第51-52页 |
| ·烧结保温时间 | 第52页 |
| ·烧结气氛 | 第52-53页 |
| ·样品表面形貌观察 | 第53-56页 |
| ·不同SPS烧结条件下掺杂对超导电性的影响 | 第56-58页 |
| ·SPS真空条件退火 | 第56页 |
| ·SPS氩气保护条件退火 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 传统烧结和SPS合成纳米SiC 掺杂MgB_2 块材的比较 | 第59-65页 |
| ·块材致密度的比较 | 第59-61页 |
| ·密度的比较 | 第59-60页 |
| ·微观形貌的比较 | 第60-61页 |
| ·超导电性的比较 | 第61-63页 |
| ·未掺杂样品超导电性的比较 | 第61-62页 |
| ·掺杂后样品超导电性的比较 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 前景展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
