射频磁控溅射法沉积氮化铜纳米薄膜及PLZT薄膜
| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 光存储材料及铁电存储材料 | 第12-38页 |
| 1 光存储材料 | 第12-24页 |
| ·光存储材料的发展概况 | 第12-13页 |
| ·只读存储光盘材料 | 第13页 |
| ·一次写入光盘材料 | 第13-15页 |
| ·可擦重写磁光光盘材料 | 第15-16页 |
| ·可擦重写相变光盘材料 | 第16-18页 |
| ·电子俘获光存储材料 | 第18-19页 |
| ·持续光谱开孔及光子选通材料 | 第19-22页 |
| ·光致色变材料 | 第22-23页 |
| ·本世纪光数字存储展望 | 第23-24页 |
| 2 铁电材料 | 第24-28页 |
| ·铁电材料研究现状 | 第24-25页 |
| ·铁电体物理学研究的领域 | 第25-28页 |
| 3 选题依据与主要研究内容 | 第28-31页 |
| ·选题依据与意义 | 第28-30页 |
| ·主要研究内容 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-38页 |
| 第二章 Cu_3N薄膜及其研究现状 | 第38-55页 |
| ·引言 | 第38-41页 |
| ·Cu_3N的晶体结构及其特征 | 第41-42页 |
| ·制备条件对结构的影响 | 第42-47页 |
| ·CuaN薄膜的电学性能 | 第47-48页 |
| ·Cu_3N薄膜的光学性能 | 第48-50页 |
| ·Cu_3N的热稳定性 | 第50-51页 |
| ·Cu_3N的硬度和耐腐蚀性 | 第51页 |
| ·H对薄膜生长行为的影响 | 第51页 |
| ·Cu_3N薄膜中Cu、N离子的状态 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第三章 溅射沉积薄膜的微结构及薄膜中的应力 | 第55-80页 |
| ·热应力和内禀应力 | 第58-64页 |
| ·热应力 | 第58页 |
| ·内禀应力 | 第58-59页 |
| ·回复和再结晶 | 第59页 |
| ·沉积条件的影响 | 第59-60页 |
| ·T／T_m对内禀应力的影响 | 第60-62页 |
| ·应力分布 | 第62-64页 |
| ·蒸发涂层 | 第64-66页 |
| ·低熔点材料 | 第64-65页 |
| ·高熔点材料 | 第65-66页 |
| ·电沉积涂层 | 第66页 |
| ·溅射涂层 | 第66-75页 |
| ·沉积参数 | 第66页 |
| ·圆柱状加速磁控溅射源 | 第66-73页 |
| ·圆柱空心磁控管溅射源 | 第73-74页 |
| ·等离子体磁控管溅射源(溅射枪) | 第74-75页 |
| ·讨论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 第四章 Cu_3N薄膜的制备及性能研究 | 第80-110页 |
| ·实验设备介绍 | 第80页 |
| ·加热衬底上沉积Cu_3N薄膜及研究 | 第80-98页 |
| ·靶基距为60mm沉积Cu_3N薄膜 | 第80-94页 |
| ·靶基距为40mm沉积Cu_3N薄膜 | 第94-98页 |
| ·不加热衬底上沉积Cu_3N薄膜及研究 | 第98-106页 |
| ·改变溅射气氛 | 第98-99页 |
| ·改变靶基距 | 第99-104页 |
| ·改变功率 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 第五章 Cu_3N薄膜的掺杂及其研究 | 第110-127页 |
| ·掺H元素Cu_3N薄膜的制备及研究 | 第110-119页 |
| ·掺Ti元素Cu_3N薄膜的制备及性能 | 第119-123页 |
| ·衬底不加热 | 第119-121页 |
| ·衬底加热 | 第121-123页 |
| ·掺Ni氮化铜薄膜的制备及性能 | 第123-126页 |
| ·本章小结 | 第126页 |
| 参考文献 | 第126-127页 |
| 第六章 PLZT铁电薄膜的最新研究进展 | 第127-138页 |
| ·引言 | 第127页 |
| ·基本结构 | 第127-128页 |
| ·制备方法 | 第128-129页 |
| ·薄膜的性质及性能表征 | 第129-132页 |
| ·电光效应 | 第130-131页 |
| ·薄膜的电学性质 | 第131-132页 |
| ·应用及研究现状 | 第132-133页 |
| ·待解决的问题 | 第133-134页 |
| ·结论及展望 | 第134页 |
| 参考文献 | 第134-138页 |
| 第七章 PLZT铁电薄膜的制备及初步研究 | 第138-152页 |
| ·PLZT溅射靶的制备 | 第138-139页 |
| ·PLZT薄膜的制备 | 第139页 |
| ·PLZT薄膜结构分析 | 第139-149页 |
| ·PLZT薄膜的XRD分析 | 第139-143页 |
| ·PLZT薄膜的XPS分析 | 第143-149页 |
| ·本章小结 | 第149-150页 |
| 参考文献 | 第150-152页 |
| 第八章 总结与结论 | 第152-155页 |
| 致谢 | 第155-156页 |
| 博士在读期间科研成果 | 第156-157页 |
