| 目录 | 第1-13页 |
| 第一章 导论 | 第13-23页 |
| ·课题背景 | 第13-21页 |
| ·转移连接(Transfer and Joint)技术介绍 | 第13-16页 |
| ·多孔硅与电流、超晶格及光子晶体的关系 | 第16-21页 |
| ·本文的工作 | 第21-23页 |
| ·厚膜氮化硅的转移 | 第21-22页 |
| ·多层反射膜的制备 | 第22-23页 |
| 第二章 制备方法 | 第23-30页 |
| ·氮化硅薄膜的转移 | 第23-27页 |
| ·实验总流程 | 第23-24页 |
| ·具体工艺步骤 | 第24-27页 |
| ·纳米硅基一维光子晶体的制备 | 第27-30页 |
| ·p型硅样品实验条件 | 第27-28页 |
| ·n型硅样品实验条件 | 第28-30页 |
| 第三章 多孔硅表面氮化硅厚膜淀积及转移机理 | 第30-49页 |
| ·多孔硅表面厚膜淀积分析 | 第30-36页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·多孔硅薄膜应力分析概述 | 第31-33页 |
| ·多孔硅表面氮化硅厚膜淀积分析 | 第33-36页 |
| ·氮化硅厚膜转移分析 | 第36-49页 |
| ·键合原理 | 第36-40页 |
| ·固体薄膜转移技术 | 第40-42页 |
| ·氮化硅厚膜转移的实现分析 | 第42-49页 |
| 第四章 硅基一维光子晶体的机理、表征及分析 | 第49-72页 |
| ·多孔硅单层膜的制备与光学性质研究 | 第49-53页 |
| ·简介 | 第49页 |
| ·制备 | 第49-50页 |
| ·结构特性表征与分析 | 第50-53页 |
| ·结论 | 第53页 |
| ·多孔硅基一维光子晶体理论与设计 | 第53-62页 |
| ·一维光子晶体的结构与光子禁带 | 第53-54页 |
| ·一维光子晶体与光学多层介质膜 | 第54-57页 |
| ·多孔硅基一维光子晶体的设计 | 第57-62页 |
| ·多孔硅基一维光子晶体在p型和n型单晶硅上的实现分析 | 第62-66页 |
| ·p型硅样品微结构(图4.11与图4.12)分析 | 第63页 |
| ·n型硅样品微结构(图4.13)分析 | 第63-65页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| ·多孔一维光子晶体的光学性质 | 第66-72页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·理论 | 第66-68页 |
| ·光学分析 | 第68-72页 |
| 第五章 结论与展望 | 第72-77页 |
| ·结论 | 第72-73页 |
| ·展望 | 第73-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |