| 第一章 绪论 | 第1-29页 |
| ·半导体材料 | 第12页 |
| ·半导体器件 | 第12-17页 |
| ·半导体工艺技术 | 第17-25页 |
| ·一些关键的半导体技术 | 第17-23页 |
| ·半导体技术发展趋势 | 第23-25页 |
| ·基本工艺步骤 | 第25-28页 |
| ·氧化 | 第26页 |
| ·光刻和刻蚀 | 第26-28页 |
| ·扩散和离子注入 | 第28页 |
| ·金属化 | 第28页 |
| ·本论文的主要工作 | 第28-29页 |
| 第二章 基于CV特性的半导体杂质浓度分布的研究 | 第29-45页 |
| ·研究背景 | 第29-31页 |
| ·理论 | 第31-42页 |
| ·基本算法 | 第31-35页 |
| ·CV法的唯一性问题 | 第35-38页 |
| ·逐点反求多次循环的数值算法 | 第38-42页 |
| ·数值模拟结果 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 SDB硅片的膜厚测量 | 第45-60页 |
| ·硅／硅直接键合SDB硅片的减薄 | 第45-46页 |
| ·硅／硅直接键合SDB硅片的减膜厚测量 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-60页 |
| 第四章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 附录 攻读硕土学位期间完成的主要论文 | 第67页 |