硅基应变器件应力引入方法研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-11页 |
| ·应变硅技术应用 | 第9-11页 |
| ·应力引入方法的历程 | 第11页 |
| ·论文主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 应变硅物理模型 | 第13-23页 |
| ·Si/SiGe晶格 | 第13-14页 |
| ·应变Si能带结构 | 第14-16页 |
| ·应变Si载流子有效质量 | 第16-17页 |
| ·应变硅传输特性 | 第17-21页 |
| ·应变硅中电子的传输特性 | 第17-19页 |
| ·应变硅中空穴的传输特性 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 影响迁移率的因素研究 | 第23-31页 |
| ·迁移率与单双轴应力 | 第23-26页 |
| ·迁移率与纵向电场 | 第26-27页 |
| ·应力引入导致MOSFET阈值电压转移 | 第27-28页 |
| ·温度对迁移率的影响 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第四章 应力引入方法与特性研究 | 第31-73页 |
| ·全局应变 | 第31-36页 |
| ·全局应变的制备方法 | 第31-33页 |
| ·衬底致应变 | 第33-35页 |
| ·硅片键合 | 第35-36页 |
| ·工艺致应变 | 第36-63页 |
| ·浅沟槽隔离 | 第37-44页 |
| ·嵌入式锗硅源漏 | 第44-48页 |
| ·应力衬垫技术 | 第48-56页 |
| ·应力记忆技术 | 第56-58页 |
| ·硅化物 | 第58-60页 |
| ·Ge预非晶化 | 第60-63页 |
| ·后工艺致应变 | 第63-64页 |
| ·混合晶向技术 | 第64-68页 |
| ·衬底晶向 | 第64-67页 |
| ·沟道晶向 | 第67-68页 |
| ·机械应变 | 第68-70页 |
| ·对各种应力引入方法的比较 | 第70-71页 |
| ·对应力引入方法的优化 | 第71-72页 |
| ·本章小节 | 第72-73页 |
| 第五章 结论 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 研究成果 | 第81-82页 |
