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多频段射频CMOS功率放大器的研究与设计

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-14页
   ·课题背景和研究意义第9-11页
   ·国内外现状第11-13页
   ·主要研究内容第13-14页
第二章 射频功率放大器的理论研究第14-29页
   ·主要性能指标第15-16页
   ·器件非线性的影响第16-18页
     ·输入端仅有一个信号第16-17页
     ·输入端有两个以上输入信号第17-18页
   ·功率放大器的分类第18-23页
     ·线性功率放大器第18-21页
     ·非线性功率放大器第21-23页
     ·功率放大器特性小结第23页
   ·RLC 网络第23-29页
     ·选频特性第23-26页
     ·LC 无源阻抗变换网络第26-29页
第三章 CMOS 工艺的局限第29-34页
   ·CMOS 器件的短沟效应第30-31页
     ·阈值电压的降低第30页
     ·衬底电流第30页
     ·栅电流第30-31页
   ·深亚微米 CMOS 器件的击穿电压第31-32页
   ·CMOS 工艺的衬底问题第32页
     ·衬底耦合第32页
     ·衬底损耗第32页
   ·片上螺旋电感第32-34页
第四章 并行式多频段功率放大器的设计第34-64页
   ·多频段输出匹配网络第35-41页
     ·L 型网络容性变换第36-40页
     ·L 型网络感性变换第40-41页
     ·多频段输出匹配网络结构第41页
   ·功率输出级第41-44页
     ·双频段谐振网络第41-43页
     ·输出级功率管第43页
     ·输出级小结第43-44页
   ·增益驱动级电路第44-47页
     ·双参差调谐放大器第45页
     ·增益级电路设计第45-47页
   ·级间匹配电路第47-49页
     ·接口电路第47-48页
     ·改进的接口电路第48-49页
   ·多频段输入匹配网络第49-52页
     ·理论分析第49-50页
     ·具体设计方法第50-52页
     ·无源放大技术第52页
   ·偏置电路第52-62页
     ·基准电路的重要性第53页
     ·电压基准第53-57页
     ·电流基准第57-58页
     ·运放设计第58-60页
     ·仿真结果第60-62页
   ·总体电路结构第62-64页
第五章 整体电路仿真与分析第64-70页
   ·瞬态特性第64-65页
   ·输入匹配特性第65-66页
   ·功率特性第66页
   ·功率附加效率第66-67页
   ·线性度第67页
   ·稳定性第67-68页
   ·小结第68-70页
第六章 结论与展望第70-72页
致谢第72-73页
参考文献第73-77页
攻读硕士期间取得的研究成果第77-78页

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