纳米尺度半导体刻线边缘粗糙度测量与表征方法的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-32页 |
| ·课题背景及研究意义 | 第14-15页 |
| ·线边缘粗糙度的研究内容及其发展 | 第15-17页 |
| ·线边缘粗糙度测量技术的研究现状 | 第17-28页 |
| ·常用的测量仪器及测量方法 | 第17-24页 |
| ·数据分析方法的研究 | 第24-26页 |
| ·线边缘粗糙度标准样板的研制 | 第26-27页 |
| ·LER 测量误差及不确定度的研究 | 第27-28页 |
| ·不同仪器测量结果的相互比对研究 | 第28页 |
| ·线边缘粗糙度测量的关键问题分析 | 第28-30页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第30-32页 |
| 第2章 线边缘粗糙度的定义及其表征参数的研究 | 第32-49页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·线边缘粗糙度测量的需求分析 | 第32-40页 |
| ·半导体制造工艺与线边缘粗糙度的形成 | 第33-36页 |
| ·线边缘粗糙度对线宽测量的影响 | 第36-39页 |
| ·线边缘粗糙度对器件电气性能的影响 | 第39-40页 |
| ·线边缘粗糙度的定义研究 | 第40-43页 |
| ·LER 定义需要考虑的问题 | 第40-42页 |
| ·线边缘粗糙度的定义 | 第42-43页 |
| ·线边缘粗糙度的表征参数 | 第43-48页 |
| ·幅值参数均方根粗糙度RMS | 第44-45页 |
| ·频谱分析参数功率谱密度函数PSD | 第45-47页 |
| ·空间评定参数自相关函数R(τ) | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第3章 基于AFM 的线边缘粗糙度测量模型 | 第49-69页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·AFM 的成像机理及工作模式 | 第49-52页 |
| ·测量样本与测量条件 | 第52-54页 |
| ·线边缘粗糙度测量模型的建立 | 第54-62页 |
| ·基于图像处理技术的线边缘确定方法 | 第55-57页 |
| ·基于关键点的线边缘确定方法 | 第57-60页 |
| ·确定评定基准及提取LER 特征 | 第60-62页 |
| ·测量结果与分析 | 第62-68页 |
| ·基于图像处理技术线边缘确定方法的测量结果 | 第62-66页 |
| ·基于关键点线边缘确定方法的测量结果 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第4章 线边缘粗糙度的多尺度表征方法研究 | 第69-97页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·线边缘粗糙度特性分析 | 第70-73页 |
| ·基于冗余第二代小波变换的LER 多尺度表征 | 第73-88页 |
| ·冗余第二代小波变换 | 第74-81页 |
| ·粗糙度指数R 的计算 | 第81-85页 |
| ·各尺度重构信号的频谱分析 | 第85-87页 |
| ·高频噪声影响的估计 | 第87-88页 |
| ·随机轮廓仿真与分析 | 第88-91页 |
| ·线边缘随机轮廓的生成 | 第88-90页 |
| ·结果与讨论 | 第90-91页 |
| ·测量结果与分析 | 第91-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 第5章 AFM 测量线边缘粗糙度影响因素的研究 | 第97-115页 |
| ·引言 | 第97页 |
| ·探针对扫描图像的影响 | 第97-102页 |
| ·探针针尖尺寸与形状的影响 | 第97-100页 |
| ·不同探针LER 测量结果的比较 | 第100-102页 |
| ·AFM 扫描图像噪声的影响 | 第102-107页 |
| ·扫描图像的滤波去噪 | 第103-105页 |
| ·小波滤噪估计高频噪声的影响 | 第105-107页 |
| ·压电晶体驱动精度的影响 | 第107-111页 |
| ·扫描采样间隔的影响 | 第111-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 结论 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-129页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第129-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
| 个人简历 | 第132页 |
