摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第10-24页 |
1.1 纳米材料的提出与分类 | 第10-15页 |
1.1.1 纳米材料的研究进展 | 第11-12页 |
1.1.2 纳米材料的制备方法 | 第12-13页 |
1.1.3 纳米材料的性质 | 第13-15页 |
1.1.3.1 纳米材料的小尺寸效应 | 第13-14页 |
1.1.3.2 纳米材料的表面效应 | 第14页 |
1.1.3.3 纳米材料的量子尺寸效应 | 第14页 |
1.1.3.4 纳米材料的宏观隧道效应 | 第14-15页 |
1.2 一维纳米阵列在拉曼检测中的应用 | 第15-19页 |
1.2.1 拉曼散射研究历史 | 第15-16页 |
1.2.2 表面增强拉曼散射 | 第16-19页 |
1.3 多孔氧化铝的合成原理 | 第19-24页 |
1.3.1 铝膜表面氧化铝的种类 | 第19-20页 |
1.3.2 多孔阳极氧化铝的形成过程 | 第20页 |
1.3.3 多孔管阳极氧化铝形成机制 | 第20-21页 |
1.3.4 多孔氧化铝为模板合成纳米材料阵列 | 第21-22页 |
1.3.5 有序纳米阵列材料作为表面增强拉曼检测基底 | 第22-24页 |
第2章 多孔氧化铝的制备和表征 | 第24-36页 |
2.1 多孔氧化铝的制备方法 | 第24-27页 |
2.1.1 铝片预处理 | 第24-25页 |
2.1.2 电化学抛光 | 第25-26页 |
2.1.3 一次阳极氧化 | 第26页 |
2.1.4 二次阳极氧化 | 第26-27页 |
2.2 多孔氧化铝形成过程中电流的变化特点 | 第27-28页 |
2.3 特殊结构多孔氧化铝孔径的调节 | 第28-29页 |
2.4 多孔氧化铝阻挡层的去除时间 | 第29-30页 |
2.5 交流电沉积合成各类金属与半导体纳米线 | 第30-36页 |
2.5.1 交流电沉积纳米材料原理 | 第30-31页 |
2.5.2 阶梯降压法减薄阻挡层 | 第31-32页 |
2.5.3 金属纳米线的交流电化学沉积 | 第32-33页 |
2.5.4 银金属纳米线的填充率 | 第33-34页 |
2.5.5 金属纳米管与复金属纳米线的合成过程 | 第34页 |
2.5.6 覆盖有银颗粒的铜纳米线阵列合成 | 第34-36页 |
第三章 直流电沉法积合成金属与半导体纳米线阵列 | 第36-52页 |
3.1 引言 | 第36-37页 |
3.2 多孔氧化铝与导电基底结合力研究 | 第37-42页 |
3.2.1 两样片之间的结合力与他们亲水性之间的关系 | 第37-39页 |
3.2.2 表面处理金属膜增加其表面羟基基团 | 第39-42页 |
3.2.2.1 ITO导电玻璃的羟基化处理 | 第40-41页 |
3.2.2.2 表面处理多孔氧化铝增加其亲水性 | 第41-42页 |
3.3 多孔氧化铝与导电基底的贴合过程 | 第42页 |
3.4 电化学沉积金属与半导体纳米阵列 | 第42-45页 |
3.4.1 不同结构氧化铝三电极电化学沉积中电流变化曲线 | 第42-44页 |
3.4.2 电化学沉积反应条件 | 第44-45页 |
3.5 冷冻干燥法处理纳米棒 | 第45-47页 |
3.6 纳米棒的长度与时间的关系 | 第47-48页 |
3.7 金属与半导体纳米阵列材料的形貌表征 | 第48-52页 |
第四章 一维有序纳米材料阵列在拉曼检测中的应用 | 第52-58页 |
4.1 引言 | 第52页 |
4.2 磁控溅射法合成表面增强拉曼检测基底 | 第52-54页 |
4.2.1 磁控溅射玻璃基底的预处理 | 第52页 |
4.2.2 磁控溅射法在玻璃基底与多孔氧化铝上镀导电金属膜 | 第52-53页 |
4.2.3 磁控溅射时间与金属膜厚度的关系 | 第53-54页 |
4.3 以不同结构氧化铝为基底覆盖金膜作为拉曼检测基底 | 第54-56页 |
4.3.1 不同结构氧化铝基底的电镜表征 | 第54-55页 |
4.3.2 不同浓度检测标志物的表面增强拉曼信号 | 第55-56页 |
4.4 硒化镉的光学吸收特性 | 第56-58页 |
4.4.1 硒化镉吸收光谱图 | 第56-57页 |
4.4.2 硒化镉半导体的禁带宽度计算 | 第57-58页 |
第五章 工作总结与展望 | 第58-60页 |
5.1 工作总结 | 第58页 |
5.2 工作展望 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-68页 |
致谢 | 第68-70页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第70页 |