基于GMI效应非屏蔽脑磁检测技术研究
| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-16页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第13-15页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外研究概况 | 第16-21页 |
| 1.2.1 国外研究概况 | 第16-20页 |
| 1.2.2 国内研究概况 | 第20-21页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第21-22页 |
| 1.4 全文结构 | 第22-23页 |
| 第二章 非晶丝GMI效应理论研究 | 第23-36页 |
| 2.1 非晶丝GMI效应的理论分析 | 第23-28页 |
| 2.1.1 GMI效应的表征 | 第23-24页 |
| 2.1.2 GMI效应阻抗值的计算 | 第24-26页 |
| 2.1.3 GMI效应计算模型 | 第26-28页 |
| 2.2 非晶丝GMI性能影响因素 | 第28-31页 |
| 2.2.1 几何尺寸 | 第28-29页 |
| 2.2.2 驱动电流 | 第29-30页 |
| 2.2.3 环境温度 | 第30-31页 |
| 2.2.4 外加磁场 | 第31页 |
| 2.3 非晶丝的选择 | 第31-35页 |
| 2.3.1 非晶丝选择考虑因素 | 第32-34页 |
| 2.3.2 基于地磁场寻找非晶丝GMI最佳工作点 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 非晶丝GMI传感器设计 | 第36-59页 |
| 3.1 方案设计 | 第36-42页 |
| 3.1.1 非晶丝探头设计 | 第36-39页 |
| 3.1.2 相对磁场检测方案 | 第39-42页 |
| 3.2 方案仿真 | 第42-44页 |
| 3.2.1 仿真模型搭建 | 第42-43页 |
| 3.2.2 仿真结果分析 | 第43-44页 |
| 3.3 电路设计 | 第44-58页 |
| 3.3.1 电源电路设计 | 第45-47页 |
| 3.3.2 尖脉冲发生电路设计 | 第47-49页 |
| 3.3.3 同步检波电路设计 | 第49-50页 |
| 3.3.4 初级放大调理电路设计 | 第50-52页 |
| 3.3.5 50Hz陷波电路设计 | 第52-54页 |
| 3.3.6 后级放大调理电路 | 第54-57页 |
| 3.3.7 电路抗干扰设计 | 第57-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 GMI传感器灵敏度测试 | 第59-68页 |
| 4.1 测试系统设计 | 第59-62页 |
| 4.1.1 测试原理 | 第59-60页 |
| 4.1.2 测试系统设计 | 第60-62页 |
| 4.2 测试与结果分析 | 第62-67页 |
| 4.2.1 测试系统组成 | 第62-63页 |
| 4.2.2 结果分析 | 第63-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-72页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第68-69页 |
| 5.2 下一步工作展望 | 第69-72页 |
| 5.2.1 传感器的微型化设计 | 第69页 |
| 5.2.2 传感器阵列设计 | 第69-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第78-79页 |
| 附录A 研究过程中所设计不同版本GMI传感器 | 第79页 |
