| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·GAN 材料的基本性质与应用 | 第10-17页 |
| ·GAN 材料的研究现状 | 第17-23页 |
| ·PD 材料的性质、制备及应用依据 | 第23-25页 |
| ·本论文的选题依据 | 第25-26页 |
| 第二章 实验过程及主要测试表征手段 | 第26-36页 |
| ·实验过程介绍 | 第26-30页 |
| ·射频磁控溅射过程 | 第26-30页 |
| ·实验材料 | 第30-31页 |
| ·测试和表征方法介绍 | 第31-36页 |
| ·结构和成份测试分析 | 第31-33页 |
| ·表面形貌观察 | 第33-35页 |
| ·光学性质测量 | 第35-36页 |
| 第三章 GAN 一维纳米结构的制备及特性研究 | 第36-56页 |
| ·一维GAN 纳米结构的制备 | 第36-37页 |
| ·Ga_2O_3/PD 薄膜的制备过程 | 第36页 |
| ·一维GAN 纳米结构的合成过程 | 第36-37页 |
| ·测试和表征 | 第37页 |
| ·在SI(111)衬底上制备一维GAN 纳米结构的研究 | 第37-47页 |
| ·氨化温度对一维GAN 纳米结构及成分的影响 | 第37-47页 |
| ·在蓝宝石衬底上制备一维GAN 纳米结构的研究 | 第47-54页 |
| ·缓冲层厚度对合成一维GAN 纳米结构的影响 | 第54-56页 |
| 第四章 一维GAN 纳米结构生长机理的探索 | 第56-59页 |
| ·缺陷能聚集限制生长理论解释 | 第56-57页 |
| ·Ga_2O_3 转化为GAN 的路径 | 第57-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-62页 |
| ·本论文的主要研究内容及成果 | 第59-60页 |
| ·对今后工作的建议 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 论文作者在学期间发表的学术论文目录 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |