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共溅法制备Mn掺杂GaN薄膜和纳米结构的研究

摘要第1-7页
Abstract第7-9页
第一章 绪论第9-27页
 第一节 GaN 材料的基本性质及研究进展第10-16页
 第二节 低维GaN 材料的研究概况第16-24页
 第三节 Mn 的基本性质以及应用第24-25页
 第四节 论文选题依据及意义第25-27页
第二章 实验设备和测试方法第27-35页
 第一节 实验设备第27-29页
 第二节 实验中所需要的主要材料和试剂第29页
 第三节 测试表征手段第29-35页
第三章 共溅法制备Mn 掺杂GaN 纳米材料的研究第35-55页
 第一节 Mn 掺杂GaN 纳米材料的制备第35-37页
 第二节 氨化温度对合成Mn 掺杂GaN 纳米结构的影响第37-44页
 第三节 氨化时间对合成Mn 掺杂GaN 纳米结构的影响第44-49页
 第四节 NH3的流量对合成Mn 掺杂GaN 纳米结构的影响第49-52页
 第五节 一维GaN 纳米材料的生长机制探索第52-54页
 第六节 本章小结第54-55页
第四章 结论第55-57页
 第一节 本论文的主要研究内容及成果第55-56页
 第二节 今后工作的建议第56-57页
参考文献第57-64页
论文作者在学期间发表的学术论文目录第64-65页
致谢第65页

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