| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 应变 Si MOS 器件技术发展及研究现状 | 第8-11页 |
| 1.3 MOS 器件辐照特性研究现状 | 第11-15页 |
| 1.4 本论文研究内容与章节安排 | 第15-17页 |
| 第二章 应变 SiMOS 器件性能增强机理 | 第17-23页 |
| 2.1 应变引入机制 | 第17-20页 |
| 2.1.1 全局致应变技术 | 第17-18页 |
| 2.1.2 局部应变引入机制 | 第18-20页 |
| 2.2 双轴应变 Si 能带结构 | 第20-21页 |
| 2.3 应变 Si MOS 器件性能增强机理 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 应变 Si MOS 器件γ射线总剂量辐照损伤效应分析 | 第23-31页 |
| 3.1 辐照损伤效应总体分析 | 第23-25页 |
| 3.1.1 移位损伤效应 | 第23-25页 |
| 3.1.2 电离损伤效应 | 第25页 |
| 3.2 应变 Si MOS 器件γ射线辐照损伤的物理过程 | 第25-30页 |
| 3.2.1 电子空穴对的产生能量 | 第27页 |
| 3.2.2 初始的空穴逃脱 | 第27-28页 |
| 3.2.3 空穴的输运 | 第28页 |
| 3.2.4 深空穴陷落和退火 | 第28-29页 |
| 3.2.5 辐照引入的界面陷阱 | 第29-30页 |
| 3.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 γ射线辐照应变 Si MOS 器件电学特性分析 | 第31-47页 |
| 4.1 应变 Si MOS 器件设计与实现 | 第31-34页 |
| 4.2 应变 Si MOS 器件测试 | 第34-40页 |
| 4.2.1 应变 Si nMOS 器件测试 | 第34-38页 |
| 4.2.2 应变 Si pMOS 器件测试 | 第38-40页 |
| 4.3 辐照条件下应变 Si MOS 器件的阈值电压模型建立 | 第40-44页 |
| 4.4 辐照条件下应变 Si pMOS 器件的阈值电压模型仿真 | 第44-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 应变 Si MOS 器件电学特性实验验证 | 第47-63页 |
| 5.1 实验方案设计 | 第47-48页 |
| 5.2 实验结果分析 | 第48-56页 |
| 5.2.1 阈值电压分析 | 第48-52页 |
| 5.2.2 跨导分析 | 第52-53页 |
| 5.2.3 I-V 特性分析 | 第53-56页 |
| 5.3 退火及加固方法分析 | 第56-60页 |
| 5.3.1 阈值电压退火分析 | 第56-58页 |
| 5.3.2 跨导退火分析 | 第58-59页 |
| 5.3.3 I-V 退火分析 | 第59-60页 |
| 5.3.4 加固方法分析 | 第60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 研究成果 | 第75-76页 |
