| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本文研究的主要内容 | 第14-17页 |
| 第二章 新型多层结构电感的设计 | 第17-30页 |
| 2.1 电感的基本性能参数 | 第17-19页 |
| 2.1.1 电感值 | 第17页 |
| 2.1.2 Q值 | 第17-18页 |
| 2.1.3 自谐振频率 | 第18-19页 |
| 2.2 电感的基本结构 | 第19-25页 |
| 2.2.1 在片电感的基本结构 | 第19-21页 |
| 2.2.3 0.13um SiGe BiCMOS工艺 | 第21-22页 |
| 2.2.4 在片电感的建模及仿真 | 第22-23页 |
| 2.2.5 在片电感的物理参数对电感性能参数的影响 | 第23-25页 |
| 2.3 在片电感的De-embedding | 第25-26页 |
| 2.4 新型多层结构的在片电感 | 第26-29页 |
| 2.4.1 新型多层结构的在片电感的结构分析及建模仿真 | 第26-28页 |
| 2.4.2 新型多层结构的在片电感的仿真测试分析 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 在片电感等效电路模型 | 第30-37页 |
| 3.1 在片电感的寄生效应 | 第30-32页 |
| 3.1.1 趋肤效应 | 第30-31页 |
| 3.1.2 邻近效应 | 第31-32页 |
| 3.1.3 衬底寄生 | 第32页 |
| 3.2 电感的等效电路模型 | 第32-34页 |
| 3.3 电感等效电路模型的参数提取及仿真验证 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 绕线电感与传输线电感的比较 | 第37-41页 |
| 4.1 传输线的电感特性分析 | 第37-38页 |
| 4.2 传输线电感与绕线电感的建模仿真及分析 | 第38-40页 |
| 4.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 低噪声放大器的研究与设计 | 第41-55页 |
| 5.1 低噪声放大器的性能指标 | 第41-45页 |
| 5.1.1 噪声系数 | 第41-42页 |
| 5.1.2 增益 | 第42页 |
| 5.1.3 输入输出匹配 | 第42-43页 |
| 5.1.4 线性度 | 第43-45页 |
| 5.2 级联电路的性能指标 | 第45-46页 |
| 5.3 K-Band cascode共源极LNA | 第46-49页 |
| 5.4 双频带LNA的设计 | 第49-53页 |
| 5.4.1 双频带LNA结构设计与分析 | 第49-51页 |
| 5.4.2 双频带LNA的性能参数 | 第51-53页 |
| 5.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第六章 K-band雷达电路的设计 | 第55-61页 |
| 6.1 频率合成器 | 第55页 |
| 6.2 基于锁相环的频率合成器的分析 | 第55-57页 |
| 6.2.1 锁相环的基础理论分析 | 第55-56页 |
| 6.2.2 基于锁相环的频率合成器 | 第56-57页 |
| 6.3 基于芯片的K-Band雷达电路的设计 | 第57-60页 |
| 6.3.1 基于芯片的K-Band雷达电路的设计 | 第57-58页 |
| 6.3.2 K-Band FMCW调制频率合成器的计算 | 第58-59页 |
| 6.3.3 K-Band FMCW调制频率合成器的测试 | 第59-60页 |
| 6.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第七章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 7.1 全文总结 | 第61页 |
| 7.2 未来展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第69页 |
