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铋基拓扑绝缘体材料的生长、结构及掺杂机制研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-28页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 拓扑绝缘体第13-23页
        1.2.1 拓扑绝缘体简介第13-15页
        1.2.2 拓扑绝缘体的发展及研究现状第15-21页
        1.2.3 Ⅴ-Ⅵ族三维拓扑绝缘体及研究难点第21-23页
    1.3 电子显微分析技术第23-27页
        1.3.1 显微技术的发展第23-25页
        1.3.2 电子与样品的相互作用第25-26页
        1.3.3 使用电子显微镜的必要性第26-27页
    1.4 本文研究内容和思路第27-28页
第二章 实验原理、方法及设备第28-44页
    2.1 透射电子显微分析技术第28-37页
        2.1.1 透射电镜的基本成像原理及模式第28-32页
        2.1.2 透射电镜构造第32-34页
        2.1.3 球差校正技术及Super-X能谱技术第34-36页
        2.1.4 透射电子显微镜设备简介第36-37页
    2.2 扫描电子显微分析技术第37-38页
        2.2.1 原理及扫描电镜基本结构第37-38页
        2.2.2 扫描电子显微镜设备简介第38页
    2.3 聚焦离子束加工仪的基本原理与设备第38-41页
        2.3.1 原理及聚焦离子束加工仪基本构造第39-41页
        2.3.2 聚焦离子束加工仪设备简介第41页
    2.4 材料的合成与制备手段第41-44页
        2.4.1 化学气相沉积法第42页
        2.4.2 分子束外延法第42-44页
第三章 铋基二元体系的生长与表面研究第44-60页
    3.1 Bi_2Te_3/Bi_2Se_3纳米材料的生长第44-52页
        3.1.1 溶剂热法制备Bi基纳米材料第44-45页
        3.1.2 化学气相沉积方法制备横式铋基纳米材料第45-49页
        3.1.3 化学气相沉积方法制备立式铋基纳米材料第49-50页
        3.1.4 大漏率条件下纳米结构的生长第50-52页
    3.2 立式纳米片阵列的结构及相关机理研究第52-58页
        3.2.1 微观结构及生长机理分析第52-55页
        3.2.2 表面取向与构型分析第55-57页
        3.2.3 表面构型形成机理分析第57-58页
    3.3 本章小结第58-60页
第四章 铋基二元体系含化学信息的结构、缺陷分析第60-74页
    4.1 薄膜样品制备及HAADF成像第60-62页
        4.1.1 MBE方法制备薄膜样品及RHEED检测第60-61页
        4.1.2 原子级别的HAADF成像第61-62页
    4.2 透射电镜样品制备的新方法第62-65页
        4.2.1 样品制备遇到的问题第62-63页
        4.2.2 具有特定取向透射电镜样品的制备第63-65页
    4.3 原子级别化学信息的分辨第65-72页
        4.3.1 二元本征体系的结构分析第65-67页
        4.3.2 体缺陷Bi_3Te_4的表征及性能探究第67-70页
        4.3.3 孪晶界等其他体缺陷表征第70-72页
    4.4 本章小结第72-74页
第五章 铋基掺杂体系的研究第74-88页
    5.1 掺杂的Bi_2Te_3体系的结构、缺陷研究第74-81页
        5.1.1 Se掺杂的Bi_2Te_3体系第75-76页
        5.1.2 Sb掺杂的Bi_2Te_3体系第76-79页
        5.1.3 Cr/Sb掺杂的Bi_2Te_3体系第79-81页
    5.2 掺杂的Bi_2Te_3体系的结构、缺陷研究第81-85页
        5.2.1 Te掺杂的Bi_2Te_3体系第82-83页
        5.2.2 Fe掺杂的Bi_2Te_3体系第83-84页
        5.2.3 Ca掺杂的Bi_2Te_3第84-85页
    5.3 小结第85-88页
第六章 结论及展望第88-90页
参考文献第90-100页
致谢第100-102页
个人简历第102-104页
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第104-106页

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