摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-28页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 拓扑绝缘体 | 第13-23页 |
1.2.1 拓扑绝缘体简介 | 第13-15页 |
1.2.2 拓扑绝缘体的发展及研究现状 | 第15-21页 |
1.2.3 Ⅴ-Ⅵ族三维拓扑绝缘体及研究难点 | 第21-23页 |
1.3 电子显微分析技术 | 第23-27页 |
1.3.1 显微技术的发展 | 第23-25页 |
1.3.2 电子与样品的相互作用 | 第25-26页 |
1.3.3 使用电子显微镜的必要性 | 第26-27页 |
1.4 本文研究内容和思路 | 第27-28页 |
第二章 实验原理、方法及设备 | 第28-44页 |
2.1 透射电子显微分析技术 | 第28-37页 |
2.1.1 透射电镜的基本成像原理及模式 | 第28-32页 |
2.1.2 透射电镜构造 | 第32-34页 |
2.1.3 球差校正技术及Super-X能谱技术 | 第34-36页 |
2.1.4 透射电子显微镜设备简介 | 第36-37页 |
2.2 扫描电子显微分析技术 | 第37-38页 |
2.2.1 原理及扫描电镜基本结构 | 第37-38页 |
2.2.2 扫描电子显微镜设备简介 | 第38页 |
2.3 聚焦离子束加工仪的基本原理与设备 | 第38-41页 |
2.3.1 原理及聚焦离子束加工仪基本构造 | 第39-41页 |
2.3.2 聚焦离子束加工仪设备简介 | 第41页 |
2.4 材料的合成与制备手段 | 第41-44页 |
2.4.1 化学气相沉积法 | 第42页 |
2.4.2 分子束外延法 | 第42-44页 |
第三章 铋基二元体系的生长与表面研究 | 第44-60页 |
3.1 Bi_2Te_3/Bi_2Se_3纳米材料的生长 | 第44-52页 |
3.1.1 溶剂热法制备Bi基纳米材料 | 第44-45页 |
3.1.2 化学气相沉积方法制备横式铋基纳米材料 | 第45-49页 |
3.1.3 化学气相沉积方法制备立式铋基纳米材料 | 第49-50页 |
3.1.4 大漏率条件下纳米结构的生长 | 第50-52页 |
3.2 立式纳米片阵列的结构及相关机理研究 | 第52-58页 |
3.2.1 微观结构及生长机理分析 | 第52-55页 |
3.2.2 表面取向与构型分析 | 第55-57页 |
3.2.3 表面构型形成机理分析 | 第57-58页 |
3.3 本章小结 | 第58-60页 |
第四章 铋基二元体系含化学信息的结构、缺陷分析 | 第60-74页 |
4.1 薄膜样品制备及HAADF成像 | 第60-62页 |
4.1.1 MBE方法制备薄膜样品及RHEED检测 | 第60-61页 |
4.1.2 原子级别的HAADF成像 | 第61-62页 |
4.2 透射电镜样品制备的新方法 | 第62-65页 |
4.2.1 样品制备遇到的问题 | 第62-63页 |
4.2.2 具有特定取向透射电镜样品的制备 | 第63-65页 |
4.3 原子级别化学信息的分辨 | 第65-72页 |
4.3.1 二元本征体系的结构分析 | 第65-67页 |
4.3.2 体缺陷Bi_3Te_4的表征及性能探究 | 第67-70页 |
4.3.3 孪晶界等其他体缺陷表征 | 第70-72页 |
4.4 本章小结 | 第72-74页 |
第五章 铋基掺杂体系的研究 | 第74-88页 |
5.1 掺杂的Bi_2Te_3体系的结构、缺陷研究 | 第74-81页 |
5.1.1 Se掺杂的Bi_2Te_3体系 | 第75-76页 |
5.1.2 Sb掺杂的Bi_2Te_3体系 | 第76-79页 |
5.1.3 Cr/Sb掺杂的Bi_2Te_3体系 | 第79-81页 |
5.2 掺杂的Bi_2Te_3体系的结构、缺陷研究 | 第81-85页 |
5.2.1 Te掺杂的Bi_2Te_3体系 | 第82-83页 |
5.2.2 Fe掺杂的Bi_2Te_3体系 | 第83-84页 |
5.2.3 Ca掺杂的Bi_2Te_3 | 第84-85页 |
5.3 小结 | 第85-88页 |
第六章 结论及展望 | 第88-90页 |
参考文献 | 第90-100页 |
致谢 | 第100-102页 |
个人简历 | 第102-104页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第104-106页 |