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耦合量子阱结构中子带间的跃迁和电子相干逃逸

中文摘要第1-6页
英文摘要第6-9页
第一章 绪论第9-13页
 §1.1 本领域的研究发展近况第9-11页
 §2.2 论文研究内容及安排第11-13页
第二章 强激光场下非对称量子阱结构中子带间的跃迁第13-21页
 §2.1 理论模型第13-15页
 §2.2 结果与讨论第15-20页
 §2.3 结论第20-21页
第三章 耦合量子阱结构中横向磁场对相干隧穿的影响第21-28页
 §3.1 理论模型第21-23页
 §3.2 结果与讨论第23-27页
 §3.3 结论第27-28页
第四章 横向磁场作用下耦合量子阱结构中电子相干隧穿和逃逸第28-35页
 §4.1 理论模型第28-32页
 §4.2 结果与讨论第32-34页
 §4.3 结论第34-35页
参考文献第35-40页
致谢第40-41页
攻读硕士学位期间完成的学术论文第41页

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