摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
1 绪论 | 第12-43页 |
1.1 稀磁半导体概述 | 第12-18页 |
1.1.1 稀磁半导体基本概念 | 第12页 |
1.1.2 传统稀磁半导体的发展历程 | 第12-14页 |
1.1.3 新型d0铁磁性材料的发展历程 | 第14-16页 |
1.1.4 有序多孔金属氧化物 | 第16-18页 |
1.2 铁磁性起源的理论模型 | 第18-23页 |
1.2.1 直接交换作用 | 第18-19页 |
1.2.2 间接交换作用 | 第19-20页 |
1.2.3 双交换作用 | 第20-21页 |
1.2.4 RKKY相互作用 | 第21-22页 |
1.2.5 束缚磁极化子(BMP)模型 | 第22-23页 |
1.3 电场对磁性的调控研究 | 第23-41页 |
1.3.1 阻变存储器(RRAM)概述 | 第23-26页 |
1.3.2 阻变存储器的阻变机制模型简介 | 第26-35页 |
1.3.3 RRAM中电场调控磁性的研究现状 | 第35-41页 |
1.4 本论文的选题依据及意义 | 第41-43页 |
2 制备方法与表征技术 | 第43-51页 |
2.1 PAA模板的制备 | 第43-44页 |
2.2 磁控溅射沉积技术 | 第44-45页 |
2.3 薄膜样品表征方法 | 第45-51页 |
2.3.1 X射线衍射仪 | 第45-46页 |
2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第46-47页 |
2.3.3 扫描探针显微镜(SPM) | 第47-48页 |
2.3.4 物理性能测试系统(PPMS) | 第48-49页 |
2.3.5 电流-电压(I-V)测试仪 | 第49页 |
2.3.6 光致发光光谱(PL) | 第49-51页 |
3 Ag/HfO_2/PAA/Al器件中电阻转变与电场对磁性的调控 | 第51-64页 |
3.1 引言内容 | 第51-52页 |
3.2 多孔HfO_2薄膜的制备 | 第52-54页 |
3.2.1 不同氩氧比条件下制备HfO_2薄膜 | 第52-53页 |
3.2.2 不同溅射时间条件下制备HfO_2薄膜 | 第53-54页 |
3.3 HfO_2薄膜结构和形貌的表征 | 第54-56页 |
3.4 多孔HfO_2薄膜铁磁性的表征及磁性本质的研究 | 第56-60页 |
3.5 Ag/HfO_2/PAA/Al器件的阻变行为及阻变效应机制的研究 | 第60-62页 |
3.6 基于阻变效应,电场对HfO_2/PAA(HP)复合薄膜磁性的调控 | 第62-63页 |
3.7 本章小节 | 第63-64页 |
4 Ag/MgO/PAA/Al器件中电阻转变与电场对磁性的调控 | 第64-77页 |
4.1 引言 | 第64-65页 |
4.2 多孔MgO薄膜的制备 | 第65-67页 |
4.2.1 不同压强下制备MgO薄膜 | 第65-66页 |
4.2.2 不同溅射时间下制备MgO薄膜 | 第66-67页 |
4.3 多孔MgO薄膜结构和形貌的表征 | 第67-68页 |
4.4 多孔MgO薄膜铁磁性的表征及磁性本质的研究 | 第68-73页 |
4.5 Ag/MgO/PAA/Al器件的阻变行为及阻变效应机制的研究 | 第73-75页 |
4.6 基于阻变效应,电场对MgO/PAA(MP)复合薄膜磁性的调控 | 第75-76页 |
4.7 本章小节 | 第76-77页 |
5 Ag/SnO_2/PAA/Al器件中电阻转变与电场对磁性的调控 | 第77-87页 |
5.1 引言 | 第77-78页 |
5.2 多孔SnO_2薄膜的制备 | 第78-80页 |
5.2.1 不同氩氧比条件下制备SnO_2薄膜 | 第78-79页 |
5.2.2 不同溅射时间下制备SnO_2薄膜 | 第79-80页 |
5.3 SnO_2薄膜形貌的表征 | 第80-81页 |
5.4 多孔SnO_2薄膜铁磁性的表征及磁性本质的研究 | 第81-84页 |
5.5 Ag/SnO_2/PAA/Al器件的阻变行为及阻变效应机制的研究 | 第84-85页 |
5.6 基于阻变效应,电场对SnO_2/PAA(SP)复合薄膜磁性的调控 | 第85-86页 |
5.7 本章小节 | 第86-87页 |
6 总结 | 第87-91页 |
6.1 结论 | 第87-89页 |
6.2 工作创新点 | 第89页 |
6.3 展望 | 第89-91页 |
参考文献 | 第91-103页 |
致谢 | 第103-104页 |
攻读博士学位期间取得的科研成果 | 第104页 |