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电场对有序多孔金属氧化物磁性的调控

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
1 绪论第12-43页
    1.1 稀磁半导体概述第12-18页
        1.1.1 稀磁半导体基本概念第12页
        1.1.2 传统稀磁半导体的发展历程第12-14页
        1.1.3 新型d0铁磁性材料的发展历程第14-16页
        1.1.4 有序多孔金属氧化物第16-18页
    1.2 铁磁性起源的理论模型第18-23页
        1.2.1 直接交换作用第18-19页
        1.2.2 间接交换作用第19-20页
        1.2.3 双交换作用第20-21页
        1.2.4 RKKY相互作用第21-22页
        1.2.5 束缚磁极化子(BMP)模型第22-23页
    1.3 电场对磁性的调控研究第23-41页
        1.3.1 阻变存储器(RRAM)概述第23-26页
        1.3.2 阻变存储器的阻变机制模型简介第26-35页
        1.3.3 RRAM中电场调控磁性的研究现状第35-41页
    1.4 本论文的选题依据及意义第41-43页
2 制备方法与表征技术第43-51页
    2.1 PAA模板的制备第43-44页
    2.2 磁控溅射沉积技术第44-45页
    2.3 薄膜样品表征方法第45-51页
        2.3.1 X射线衍射仪第45-46页
        2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)第46-47页
        2.3.3 扫描探针显微镜(SPM)第47-48页
        2.3.4 物理性能测试系统(PPMS)第48-49页
        2.3.5 电流-电压(I-V)测试仪第49页
        2.3.6 光致发光光谱(PL)第49-51页
3 Ag/HfO_2/PAA/Al器件中电阻转变与电场对磁性的调控第51-64页
    3.1 引言内容第51-52页
    3.2 多孔HfO_2薄膜的制备第52-54页
        3.2.1 不同氩氧比条件下制备HfO_2薄膜第52-53页
        3.2.2 不同溅射时间条件下制备HfO_2薄膜第53-54页
    3.3 HfO_2薄膜结构和形貌的表征第54-56页
    3.4 多孔HfO_2薄膜铁磁性的表征及磁性本质的研究第56-60页
    3.5 Ag/HfO_2/PAA/Al器件的阻变行为及阻变效应机制的研究第60-62页
    3.6 基于阻变效应,电场对HfO_2/PAA(HP)复合薄膜磁性的调控第62-63页
    3.7 本章小节第63-64页
4 Ag/MgO/PAA/Al器件中电阻转变与电场对磁性的调控第64-77页
    4.1 引言第64-65页
    4.2 多孔MgO薄膜的制备第65-67页
        4.2.1 不同压强下制备MgO薄膜第65-66页
        4.2.2 不同溅射时间下制备MgO薄膜第66-67页
    4.3 多孔MgO薄膜结构和形貌的表征第67-68页
    4.4 多孔MgO薄膜铁磁性的表征及磁性本质的研究第68-73页
    4.5 Ag/MgO/PAA/Al器件的阻变行为及阻变效应机制的研究第73-75页
    4.6 基于阻变效应,电场对MgO/PAA(MP)复合薄膜磁性的调控第75-76页
    4.7 本章小节第76-77页
5 Ag/SnO_2/PAA/Al器件中电阻转变与电场对磁性的调控第77-87页
    5.1 引言第77-78页
    5.2 多孔SnO_2薄膜的制备第78-80页
        5.2.1 不同氩氧比条件下制备SnO_2薄膜第78-79页
        5.2.2 不同溅射时间下制备SnO_2薄膜第79-80页
    5.3 SnO_2薄膜形貌的表征第80-81页
    5.4 多孔SnO_2薄膜铁磁性的表征及磁性本质的研究第81-84页
    5.5 Ag/SnO_2/PAA/Al器件的阻变行为及阻变效应机制的研究第84-85页
    5.6 基于阻变效应,电场对SnO_2/PAA(SP)复合薄膜磁性的调控第85-86页
    5.7 本章小节第86-87页
6 总结第87-91页
    6.1 结论第87-89页
    6.2 工作创新点第89页
    6.3 展望第89-91页
参考文献第91-103页
致谢第103-104页
攻读博士学位期间取得的科研成果第104页

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