| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 量子霍尔效应 | 第7-11页 |
| 1.3 拓扑绝缘体研究进展 | 第11-13页 |
| 1.4 本课题的意义 | 第13-16页 |
| 2 计算原理及模拟软件介绍 | 第16-25页 |
| 2.1 绝热近似与单电子近似 | 第16-17页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第17-19页 |
| 2.3 交换关联泛函 | 第19页 |
| 2.4 自洽计算 | 第19-20页 |
| 2.5 原子赝势 | 第20-22页 |
| 2.6 结构优化 | 第22-24页 |
| 2.7 模拟软件介绍 | 第24-25页 |
| 3 超晶格薄膜拓扑绝缘特性计算 | 第25-31页 |
| 3.1 晶体结构模型的建立 | 第25-27页 |
| 3.2 结构优化 | 第27页 |
| 3.3 能带结构的计算 | 第27-29页 |
| 3.4 态密度的计算 | 第29-31页 |
| 4 计算结果及分析 | 第31-44页 |
| 4.1 Sb_2Te_3基拓扑绝缘体材料 | 第31-34页 |
| 4.2 Bi_2Te_3基拓扑绝缘体材料 | 第34-36页 |
| 4.3 Bi_2Te_3／Sb2Te3超晶格薄膜的能带分析 | 第36-44页 |
| 5 总结与展望 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |