| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 石墨烯的基本性质和应用 | 第11-13页 |
| 1.2 过渡金属硫族化合物的性质和应用 | 第13-17页 |
| 1.3 二维材料中的缺陷研究 | 第17-19页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 1.5 参考文献 | 第20-31页 |
| 第二章 理论背景 | 第31-43页 |
| 2.1 分子力学方法 | 第31-34页 |
| 2.1.1 分子力学基本概念 | 第31-32页 |
| 2.1.2 力场的形式 | 第32-33页 |
| 2.1.3 能量极小化算法 | 第33-34页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第34-39页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi-Dirac模型 | 第35页 |
| 2.2.2 Konh-Sham方程 | 第35-36页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第36-37页 |
| 2.2.4 赝势方法 | 第37-39页 |
| 2.3 参考文献 | 第39-43页 |
| 第三章 确定应变表面结合能分布的多尺度方法 | 第43-55页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 多尺度方法和计算细节 | 第44-46页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第46-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51页 |
| 3.5 参考文献 | 第51-55页 |
| 第四章 硫空位缺陷对MoS_2电子和光学性质的影响与调控 | 第55-73页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第56-57页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第57-68页 |
| 4.3.1 空位缺陷对电子和输运性质的影响 | 第57-63页 |
| 4.3.2 空位缺陷对光学性质的影响 | 第63-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68页 |
| 4.5 参考文献 | 第68-73页 |
| 第五章 有转角的石墨烯/二硫化钼异质节和双层二硫化钼的电子结构 | 第73-87页 |
| 5.1 引言 | 第73-74页 |
| 5.2 计算模型和方法 | 第74-75页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第75-82页 |
| 5.3.1 有转角的石墨烯/二硫化钼异质节 | 第75-79页 |
| 5.3.2 扭转的双层二硫化钼 | 第79-82页 |
| 5.4 本章小结 | 第82页 |
| 5.5 参考文献 | 第82-87页 |
| 第六章 论文总结与展望 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
| 攻读博士期间已发表和待发表论文 | 第91页 |
