| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 研究意义 | 第15-20页 |
| 1.2 国内外研究状况 | 第20-22页 |
| 1.3 论文的研究目标与章节安排 | 第22-23页 |
| 第二章 VDMOS器件工作机制 | 第23-33页 |
| 2.1 VDMOS器件工作原理 | 第23-25页 |
| 2.2 VDMOS器件主要参数 | 第25-27页 |
| 2.3 VDMOS器件技术特点 | 第27-30页 |
| 2.4 VDMOS器件终端结构 | 第30-33页 |
| 第三章 VDMOS工艺流程设计和工艺存在的问题 | 第33-41页 |
| 3.1 工艺流程 | 第33-35页 |
| 3.2 实际产生存在的问题 | 第35-39页 |
| 3.2.1 阈值电压高于设计要求，且开启运行不稳定 | 第35-37页 |
| 3.2.2 击穿电压低于设计要求 | 第37-38页 |
| 3.2.3 产品可靠性测试不合格 | 第38-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 600V VDMOS关键工艺优化 | 第41-75页 |
| 4.1 阈值电压调节工艺优化 | 第41-50页 |
| 4.1.1 阈值电压注入工艺优化 | 第43-48页 |
| 4.1.2 N-PLUS注入前氧化层工艺窗口 | 第48-50页 |
| 4.2 提高 600V VDMOS产品击穿电压 | 第50-60页 |
| 4.2.1 影响VDMOS击穿电压的主要因素 | 第50-51页 |
| 4.2.2 影响VDMOS导通电阻的主要因素 | 第51-56页 |
| 4.2.3 外延片规格选定 | 第56-60页 |
| 4.3 氮化硅钝化工艺优化 | 第60-74页 |
| 4.3.1 工艺优化前产品可靠性测试 | 第61-64页 |
| 4.3.2 氮化硅钝化工艺优化试验简述 | 第64-66页 |
| 4.3.3 钝化层工艺针孔试验 | 第66-68页 |
| 4.3.4 氮化硅钝化工艺应力及折射率优化试验 | 第68-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 600V VDMOS新工艺研究与实现 | 第75-89页 |
| 5.1 形成场限环及定义有源区 | 第75-77页 |
| 5.2 栅介质与多晶硅栅叠层形成及光刻 | 第77-78页 |
| 5.3 晶体管体区与源区离子注入掺杂 | 第78-80页 |
| 5.4 体/源接触区掺杂及介质隔离 | 第80-82页 |
| 5.5 金属化和钝化层制备 | 第82-85页 |
| 5.5.1 金属化电极形成 | 第82页 |
| 5.5.2 钝化层 | 第82-83页 |
| 5.5.3 背面减薄 | 第83-85页 |
| 5.6 VDMOS电学特性测试结果与分析 | 第85-87页 |
| 5.7 本章小结 | 第87-89页 |
| 第六章 结论与展望 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
| 作者简介 | 第95-96页 |