致谢 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
目录 | 第9-11页 |
1 绪论 | 第11-23页 |
1.1 Talbot效应简介 | 第11-14页 |
1.1.1 Talbot效应的由来 | 第11-13页 |
1.1.2 Talbot效应的发展概况 | 第13-14页 |
1.2 Talbot效应的应用及前景 | 第14-20页 |
1.2.1 Talbot效应在X射线成像中的应用 | 第14-18页 |
1.2.2 Talbot效应在波导阵列中的应用 | 第18-19页 |
1.2.3 Talbot效应在多重成像中的应用 | 第19-20页 |
1.3 阵列光分束器件 | 第20-23页 |
2 周期极化掺镁铌酸锂晶体的制备 | 第23-33页 |
2.1 掺镁铌酸锂晶体简介 | 第23-25页 |
2.2 掺镁铌酸锂晶体铁电畴极化反转机制 | 第25-33页 |
2.2.1 掩模板的制备与晶体光刻 | 第25-27页 |
2.2.2 晶体铁电畴在外加高压电场作用下的反转过程 | 第27-29页 |
2.2.3 掺镁铌酸锂晶体铁电畴的极化反转 | 第29-31页 |
2.2.4 铁电畴的观察方法 | 第31-33页 |
3 基于Talbot效应的二维六角位相阵列光分束器的研究 | 第33-46页 |
3.1 二维六角位相阵列光分束器的理论研究 | 第33-39页 |
3.1.1 二维六角位相阵列光分束器的近场Talbot光衍射方程 | 第33-36页 |
3.1.2 数值模拟与讨论 | 第36-39页 |
3.2 二维六角位相阵列光分束器的Talbot成像 | 第39-44页 |
3.2.1 通光实验装置介绍 | 第39-41页 |
3.2.2 Talbot衍射成像实验结果及讨论 | 第41-44页 |
3.3 本章小结 | 第44-46页 |
4 畴腐蚀阵列光分束器的研制及其Talbot效应的研究 | 第46-58页 |
4.1 畴腐蚀可调阵列光分束器的原理 | 第46-50页 |
4.1.1 畴腐蚀掺镁铌酸锂阵列光分束器的Talbot光衍射方程 | 第46-48页 |
4.1.2 数值分析与讨论 | 第48-50页 |
4.2 畴腐蚀阵列光分束器的制备及其Talbot效应 | 第50-56页 |
4.2.1 通光光路介绍 | 第50-53页 |
4.2.2 不同占空比的畴腐蚀阵列光分束器及其分数Talbot衍射像 | 第53-54页 |
4.2.3 不同腐蚀程度的畴腐蚀阵列光分束器的Talbot成像 | 第54-56页 |
4.3 本章小结 | 第56-58页 |
5 结论 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-63页 |
作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第63-65页 |
学位论文数据集 | 第65页 |