| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 课题的目的和意义 | 第12-13页 |
| 1.2 多晶硅压阻特性研究概述 | 第13-18页 |
| 1.2.1 单晶硅压阻效应模型 | 第14页 |
| 1.2.2 多晶硅迁移率模型 | 第14-15页 |
| 1.2.3 多晶硅基于单晶硅压阻效应的模型 | 第15-16页 |
| 1.2.4 多晶硅考虑势垒区压阻效应的模型 | 第16-17页 |
| 1.2.5 多晶硅隧道压阻模型及算法 | 第17页 |
| 1.2.6 多晶硅上下限近似模型 | 第17-18页 |
| 1.2.7 小结 | 第18页 |
| 1.3 硅压阻式压力传感器研究概述 | 第18-26页 |
| 1.3.1 硅压阻式压力传感器分类概述 | 第19-20页 |
| 1.3.2 硅压阻式压力传感器发展概述 | 第20-21页 |
| 1.3.3 牺牲层压阻式压力传感器研究概述 | 第21-26页 |
| 1.3.4 小结 | 第26页 |
| 1.4 牺牲层工艺关键技术研究概述 | 第26-29页 |
| 1.4.1 多晶硅薄膜的内应力调整 | 第26-28页 |
| 1.4.2 防黏附技术 | 第28-29页 |
| 1.5 课题研究主要内容 | 第29-31页 |
| 第2章 多晶硅纳米薄膜压阻系数算法 | 第31-59页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 P型多晶硅纳米薄膜表观和压阻特性概述 | 第31-34页 |
| 2.2.1 多晶硅纳米薄膜表观 | 第32页 |
| 2.2.2 多晶硅纳米膜压阻特性 | 第32-34页 |
| 2.3 P型多晶硅能带和导电机理 | 第34-37页 |
| 2.3.1 p型多晶硅能带结构 | 第34-36页 |
| 2.3.2 电流传输方式 | 第36-37页 |
| 2.4 隧道压阻模型 | 第37-41页 |
| 2.4.1 多晶硅隧道压阻模型 | 第37-39页 |
| 2.4.2 隧道压阻模型验证 | 第39-41页 |
| 2.5 P型多晶硅纳米薄膜压阻系数算法 | 第41-58页 |
| 2.5.1 p型单晶硅价带及电导有效质量随应力变化关系 | 第41-43页 |
| 2.5.2 p型多晶硅纳米薄膜晶粒中性区压阻系数 | 第43-48页 |
| 2.5.3 p型多晶硅纳米薄膜晶界势垒区的压阻系数 | 第48-50页 |
| 2.5.4 p型多晶硅纳米薄膜等效隧道电阻的压阻系数 | 第50-53页 |
| 2.5.5 p型多晶硅纳米薄膜复合晶界的压阻系数 | 第53-54页 |
| 2.5.6 p型多晶硅纳米薄膜的应变因子 | 第54-58页 |
| 2.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第3章 牺牲层结构多晶硅纳米膜压阻式压力传感器设计 | 第59-82页 |
| 3.1 传感器结构设计 | 第59-71页 |
| 3.1.1 电阻尺寸设计 | 第62-63页 |
| 3.1.2 膜片尺寸设计 | 第63-69页 |
| 3.1.3 过载能力设计 | 第69-71页 |
| 3.2 传感器工艺设计 | 第71-80页 |
| 3.2.1 工艺选择 | 第72-78页 |
| 3.2.2 减少膜片内应力和防黏附方法 | 第78-79页 |
| 3.2.3 工艺步骤 | 第79-80页 |
| 3.3 本章小结 | 第80-82页 |
| 第4章 传感器芯片研制与测试 | 第82-102页 |
| 4.1 传感器性能指标计算方法 | 第82-84页 |
| 4.2 第一批样品测试结果和讨论 | 第84-85页 |
| 4.3 第二批样品测试结果和讨论 | 第85-92页 |
| 4.4 第三批和第四批样品测试结果和讨论 | 第92-101页 |
| 4.5 本章小结 | 第101-102页 |
| 第5章 结论 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-112页 |
| 在学研究成果 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113页 |
